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2026.09.15出刊 |
焦點報導
半導體ALD設備拚國產化 助記憶體大廠轉型
在記憶體堆疊的層數競賽當中，原子層沉積（Atomic Layer Deposition；ALD）設備是不可或缺的決勝關鍵設備，當堆疊層數越高，可供聯絡每一層之間訊號的深孔就變得越加細長，傳統ALD設備鍍膜時常「鍍不到、鍍太慢」，在記憶體短缺的市況下，成為生產端的一大難題。為此工研院透過「交叉流場技術」，使得鍍膜速度提升三倍，可達到逾95%鍍膜均勻度，並支援三種以上的多元材料沉積。目前已成功串聯設備廠商旭宇騰精密科技、零組件廠、材料大廠等，打造國內供應鏈，共同協助記憶體大廠提升關鍵設備國產自主率預期達75%，成功提升臺灣設備、材料等廠商競爭力，搶攻記憶體商機。
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