プラズマプロセス向けキーモジュール及び装置技術 2026/09/29

簡介

プラズマモジュールは、半導体製造装置の中核を担うが、長らく日米の大手メーカーに依存しており、現在産業界の重要な技術課題の一つとなっている。本技術は、プラズマ成膜及びエッチングプロセスでのプラズマ密度・均一性・安定性の制御技術に注力し、成膜速度及び歩留まりの向上を図る。

技術優勢及特色

プラズマ装置向けキーモジュール

• 金属ホットプレート加熱モジュールにより、12インチウェーハ・300℃の高温環境下で、98%以上の温度均一性を維持。
• 省エネプラズマトーチにより、化学物質（CF4）の分解除去効率（DRE）85%を達成。

高密度・高均一ICPプラズマ源

• デュアルスパイラル誘導コイル設計により、プラズマ密度及び均一性を向上。
• 低圧プロセス環境（10mT）で、最高97%の均一性を確認。
• プラズマ密度4.4×10¹¹cm³を実現。

高アスペクト比クロスフローALDプロセス装置

• 複合ディスクリートパルス注入による精密制御技術を採用し、多元素合金向け高アスペクト比成膜に対応。
• ステップカバレッジ膜厚均一性92%を実現。

產業應用及商機

• 可應用產業
• 半導体、オプトエレクトロニクス、及びPCB関連産業。
• 應用實例
• サプライチェーンの川上から川下までを網羅し、約20社との協業を通じて、装置及びキーモジュールの台湾国産化率70%以上を達成した。プラズマ産業クラスターを構築し、装置の自給能力向上に寄与している。
• 大手エンドユーザーと協力し、高アスペクト比（10:1以上）構造向け酸化膜・窒化膜成膜及びエッチング装置を開発した。クロスフローALD技術及びデュアルスパイラルICPエッチング技術を確立することで、高均一性プロセスを備えた国産プラズマ装置を完成させ、開発期間の短縮と運用コストの削減に貢献する。