プラズマシミュレーション・計測技術 2026/09/29

簡介

ナノデバイスの薄膜プラズマプロセスにおいて、イオンエネルギーとフラックス密度は、エッチングの異方性、成膜の緻密性、プロセス速度、及び均一性に大きく影響する。しかし、現在はリアルタイム計測・マルチフィジックス連成シミュレーションが十分ではなく、パラメータ最適化が困難である。本技術は、ウェハ型プラズマセンシング及び診断技術により、非効率なオフライン分析に代わって重要パラメータをリアルタイムで把握し、装置検証を加速することで、先端プロセスの量産安定性と歩留まりを大幅に向上させる。

技術優勢及特色

プラズマシミュレーション解析

• 気流、熱伝達、電磁場、及び化学反応を含むプラズマのマルチフィジックス連成シミュレーション解析。
• キーモジュールの設計の最適化し、開発期間を3分の1に短縮。

非侵入型RFイオン診断モジュール

• RFパラメータを用いて基板表面のイオンエネルギー分布の算出、基板バイアス波形へのフィードバックによる中心エネルギー制御。
• ニューラルネットワークによるRF位相補正学習を導入し、ウェハ表面のイオンエネルギーパラメータのリアルタイムでの分析・監視。

ウェハ型プラズマ計測モジュール

• 厚さ2mm以下の平面三極式プローブの採用、19個以上の測定ポイント配置が可能。
• バイアス走査不要で、測定速度を10倍に向上。

產業應用及商機

• 可應用產業
• 半導体、光電、PCB関連産業。
• 應用實例
• 台湾国内半導体製造装置メーカーと協力し、磁場・熱変形・熱流解析の検証を実施し、プラズマ成膜装置への導入に成功した。また、国内半導体装置メーカーと共同で、非侵入型プラズマイオンエネルギーのリアルタイム診断・分析技術を検証し、半導体装置向け重要部品の国内調達率向上に貢献している。