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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:陳智、杜經寧、邱韋嵐、蕭翔耀、劉健民、林漢文在三維積體電路封裝上使用奈米雙晶銅製作幾近無孔洞的Cu3Sn微凸塊

在3DIC中晶片與晶片之間以銅錫材料的微凸塊作接點，為先進封裝的重要議題，我們在高密度（111）優選方向的奈米雙晶銅上電鍍純錫並且迴焊形成Cu3Sn介金屬化合物當接點，在奈米雙晶銅墊上分別電鍍出0.44微米、1微米、10微米的純錫與一般銅膜上電鍍60微米的純錫，然後覆晶迴焊分別在260 °C與340 °C下持續不同的時間觀察其界面反應與形成Cu3Sn接合的孔洞生成。實驗結果在奈米雙晶銅上Cu3Sn層裡幾乎沒有Kirkendall孔洞產生，因為奈米雙晶銅具有吸收空位與降低雜質存在於晶粒中。此Cu3Sn接合能夠成為3DIC封裝中值得發展的技術。