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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:王亘黼、董福慶、林士欽、田春林脈衝離散注入法及原子層沉積技術之半導體薄膜製程應用

半導體製程朝向微小線寬發展，使薄膜沉積技術亦往原子等級奈米堆疊邁進，並需達到高保形性、優良均勻度、以及深入孔隙結構等特質，成為薄膜披覆重要的製程能力。本文將介紹工研院機械所開發之鍍膜設備，以沉積原子層薄膜技術，搭配脈衝離散注入方法改善膜層披覆品質；在氧化鋁(Al2O3)鍍膜條件，於每循環沉積0.69 Å厚度之速率下達到不均勻度±2.3 %良好鍍膜效果，同時透過結構應力分析驗證薄膜特性適合應用在製程中，滿足先進半導體薄膜製造之產業應用規格。