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依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋,年份輸入範例202406
作者:王浩偉、張奕威、Abraham Mario Tapilouw、張樂融
晶圓厚度及翹曲檢測技術發展
隨著半導體尺寸微縮趨勢,晶圓厚度越來越薄,對表面的要求也越來越高。晶圓翹曲或厚度變化過大,將導致晶圓破裂和後續製程的偏差,非接觸精確量測和反饋總厚度變異thickness(TTV, Total Thickness Variation)、翹曲(Warp)、彎曲(Bow)資料,對製程良率至關重要。但不同的晶圓厚度範圍、晶圓表面粗度、線上檢測等要求,將對量測方法有所限制,本文將比較各量測方法的適用性,並就共焦方法的量測原理、架構、量測比對,及未來需求發展作進一步介紹。
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