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依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:陳世昌、李侃峰半導體設備精密對位技術

半導體設備以晶圓疊對與光罩多重曝光製程需求，其晶片座標的重覆定位需要極為精密的對位技術。在晶圓接合製程中背面對位是應用暫存第一片晶圓影像來當作主對位程序的定位依據，當第二片晶圓進入對位區域後，由後端的影像處理使兩晶圓片的位置擬合達到精密對位要求。其機械粗對位小於±50 μm，再由光學細對位縮小至小於1 μm等級範圍內。

IC曝光製程當特徵尺寸進入次微米級，重複式的步進微影系統開始應用於超大型積體電路（very large scale integration, VLSI）與極大型積體電路（ultra large scale integration, ULSI）製程。步進微影過程每步進一次只暴露晶片的一小部分。以65奈米製程為例，步進微影製程粗對位落在±100奈米（nm）範圍內，繼由光學細對位縮小至3 nm以下範圍內。本文就晶圓接合機和曝光設備對位原理作介紹，探討精密對位技術之發展初況。