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當期雜誌

作者:林玉堃、丁嘉仁、張高德探討不同結合度的砂輪磨削於藍寶石晶圓之聲射訊號特徵

本研究分析5種不同結合度之鑽石砂輪，在氧化鋁晶圓薄化製程中其聲射訊號上之差異。實驗平台為立式輪磨加工機，每顆砂輪各進行3次進給量為200 μm的磨削減薄製程，擷取磨削過程的聲射訊號後進行訊號分析。分析訊號後，從原始訊號中擷取出7種特徵，觀察5種砂輪的特徵差異，與研磨過程的訊號特徵變化。比較各類特徵，發現磨損率 > 0.1的砂輪與第一次進行磨削的藍寶石晶圓，因晶圓表面粗糙度值較後續進行的兩次低，所以訊號特徵表現較其他兩次不同。相反的，較小的磨損率 < 0.05則較不受加工件表面粗糙度所影響。不僅從特徵訊號中歸納出砂輪的表面變化差異，而且驗證不同結合度在聲射訊號頻帶上的比率。

作者:翁志強、丁嘉仁、張高德次世代半導體晶圓複合加工技術

碳化矽（SiC）由於其優越的物理和電氣特性，被認為是用於高功率和高溫應用的下一代半導體功率器件材料。相較於矽晶圓相對容易使用機械或化學的方法加工，碳化矽晶圓的加工製程相對困難、更昂貴且需要更長的加工時間。主要因為碳化矽為一種非常堅硬、易碎的非氧化物陶瓷材料。本研究主要開發超音波輔助輪磨技術以及電漿輔助拋光兩種複合加工技術，作為提升碳化矽晶圓加工速率的手段。

作者:張延瑜、丁嘉仁、林宗信、傅春能、林暉雄、蔡禎輝高準直平面光源技術發展現況

作者:張延瑜、楊文勛、林宗信、傅春能、藍春發、丁嘉仁、林暉雄、蔡禎輝超薄導光板之新式製程技術介紹

作者:丁嘉仁、翁志強、劉俊葳碳化矽晶圓複合加工技術

作者:翁志強、劉展羽、李祐昇、丁嘉仁、張高德大氣電漿輔助鑽石拋光技術

作者:翁志強、李祐昇、丁嘉仁、張高德、楊志強、曾永標大面積大氣電漿改善輪磨加工後碳化矽晶圓翹曲量的先期研究

碳化矽（SiC）是一種寬帶隙半導體材料，是克服矽在高壓/高功率器件中局限性的具吸引力候選材料，已廣泛的被應用在儲能、風電、太陽能、電動車等對高功率、高壓具高度要求的產業。然而，眾所周知，碳化矽因其超硬、脆性和熱化學穩定性的固有特性而難以進行高效和平滑的加工。再者，因應SiC晶圓尺寸的放大，具有高材料移除效率的輪磨製程逐漸成為加工的主流之一。然而，由於塑性變形和斷裂等「應力誘導」現象，研磨過程不可避免地會在晶圓表面下方引入損傷層。本文嘗試以自行發展的大氣電漿乾式蝕刻設備，去除輪磨加工應力導致的翹曲。實驗初步結果顯示大氣電漿設備可快速且有效的將晶圓翹曲量由單面輪磨(採用8000號砂輪)後的110-150 µm，降回10-20 µm（輪磨前的晶圓翹曲量）。

作者:林義暐、鄭貴元、呂文鎔、丁嘉仁、張高德碳化矽裂片技術淺談與其產業應用

根據IHS（Information Handling Services）Markit的預測，全球功率半導體市場規模將以年增長率4.1%的速度成長。其中，以目前正蓬勃發展的第三代半導體材料碳化矽（Silicon Carbide, SiC）為例，此材料具備高頻、高功率、耐高溫且耐高壓的電器特性，預期未來會更廣泛的應用在電動車、充電樁、太陽能、離岸風電、基地台與5G等[1]。硬度方面，SiC僅次於鑽石與碳化硼，因此在切割、研磨時也較為困難，並且晶圓尺寸越大越棘手，SiC晶錠切割為晶圓的過程即唯一重要的製程技術，如何透過快速、有效率的技術進行晶錠切割，許多公司都投入資源進行相關的技術研發。本文將針對近年來各種主要切割技術進行討論與分析，提供讀者在進入晶錠切割技術領域的參考。