作者:季宇文、黃昆平垂直成長及摻雜奈米石墨烯壁及其應用
本研究使用低壓微波火炬化學氣相沉積(MPT CVD)設備製作垂直成長及異質元素摻雜奈米石墨烯(X-dope graphene nanowalls, X-GNW)的觸媒極片,透過掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope, SEM)、拉曼光譜儀(RAMAN)以及X光光電子儀(XPS)分析,分析證明有效將異質元素植入奈米石墨烯壁的結構中,氮元素最高含量可達15 at%。嘗試使用不同金屬摻雜對氮摻雜石墨烯(NGNW)特性的影響,藉由電化學量測得知在2% CO環境毒化下,鈀氮摻雜奈米石墨烯壁(Pd-NGNW)、鎳氮摻雜奈米石墨烯壁(Ni-NGNW)、鐵氮摻雜奈米石墨烯壁(Fe-NGNW)之個別電化學活性仍可維持在65%、82%以及90%。其中Pd-NGNW電極作為陽極,在質子交換膜燃料電池(PEMFC)模組測試下放電,達到反應過電位相較於20 wt%鉑金/碳為50 mV、極限電流達到1400 mA/mg。