作者:張家豪、蘇郁仁、黃威電漿離子能量分佈量測技術
現代半導體元件製造過程中，舉凡電漿蝕刻(plasma etch)、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、物理氣相沉積(PVD)等電漿相關製程均扮演極為重要的角色。如何提升製程良率及產量，成為製造商彼此間相互競爭的重點開發項目，也是設備廠商所需面對的課題之一。而隨著半導體元件尺寸不斷縮小，使用材料多元化，對於製程技術與設備開發所面臨的挑戰也就更加嚴苛，唯有深入了解製程腔體中電漿特性參數，才能夠掌握製程反應機制與結果。而電漿蝕刻製程中離子能量大小對製程結果，諸如蝕刻率、蝕刻選擇比及表面輪廓控制等，都有顯著的影響。本文將針對離子能量分佈(Ion Energy Distribution, IED)量測方法進行介紹。