作者:鄭時龍、吳至強、成維華氮化鎵功率電晶體之電性萃取
本研究檢測氮化鎵FET之輸出電性特性。電性特性量測包含ID-VD特性曲線、臨限電壓及功率寄生電容的量測。透過ID-VD特性曲線量測可以檢知功率電晶體最大飽和電流、轉角電壓及導通電阻等特性；臨限電壓量測可以檢知多少閘極偏壓下能使功率電晶體導通；寄生電容量測則可以得知功率電晶體寄生電容影響功率電晶體的開關切換速度。量測的電性特性規格建立在參考市售的加強型、空乏型MOSFET及加強型氮化鎵FET。比較目前加強型氮化鎵FET及交大實驗室所研發空乏型NCTU氮化鎵FET之輸出電性特性。透過建立一套標準規格的電性量測可以提供設計上所需的必要資訊，並可將量測的電性參數建立至元件等效電路模型以模擬實際電路。高功率的輸出應用勢必需並聯多個功率晶體，因此晶體的電性萃取、參數的差異篩選及電性特性模型建立對於晶體的並聯均流在功率系統中是一門相當重要的議題。