作者:賴識翔、黃昆平、張志振、林育霆成長大面積石墨烯薄膜與多源電子迴旋共振化學氣相沉積設備
石墨烯的載子遷移率可達200000 cm2/V·s，是現今矽材料的百倍以上，因此吸引了很多科學家的注意。如何大面積成長石墨烯薄膜是未來應用於透明導電膜上重要課題之一。本文將說明大面積石墨烯薄膜發展近況，以及工研院機械所已成功發展出多源電子迴旋共振化學氣相沈積（MECR CVD）系統來製作少數層之石墨烯薄膜。我們的目標是以電漿方式直接成長370 mm × 470 mm的乾淨石墨烯，在文中將描述MECR CVD真空系統的電漿特性、電漿成分分析結果以及成長的石墨烯將藉由Raman光譜與X射線光電子能譜做特性分析。