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作者:李建霖、王亘黼、蔡坤諭、錢盛偉、蔡佳勳、董福慶、王慶鈞氦離子束檢測技術簡介及其於高深寬比結構鍍膜製程研發之應用

目前的掃描電子顯微鏡技術存在著一些性能上的限制。在奈米等級結構上，影像解析度通常受限於樣品相互作用的體積，而不是實際的聚焦點大小。使用較高能量電子束或較大質量的粒子束源雖然可以減少散射的影響，但隨之而來的副作用，如更大的樣品相互作用體積及大量分散的粒子源能量使影像解析度仍舊無法提升。近年來，氣體場離子源研究的進展使得以輕惰性氣體離子作為離子源的顯微設備得以實現，有助於奈米等級結構的檢測及相關製程研發。本文將針對氦離子束檢測技術及高深寬比結構鍍膜技術進行介紹。

作者:賴識翔、鄭皓蓬、林義鈞、董福慶、唐謙仁、韓建遠薄膜光學特性之分析模組技術

作者:董福慶、賴識翔、王亘黼長壽命色溫可調變OLED 照明技術

作者:賴識翔、董福慶、林義鈞、鄭皓蓬多模式薄膜沉積製程設備模組技術於OLED照明之應用

可撓性OLED元件最關鍵的製程技術在於具低水氣穿透率(WVTR)之封裝薄膜，工研院機械所已獲得「多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法」之專利，在單一腔體內以原子層沉積技術與電漿輔助化學沉積技術製作高阻水氣薄膜，其薄膜特性達到OLED封裝高阻水氣之嚴苛要求( WVTR 小於 5 x 10-6 g/m2 /day)，此專利技術可應用在現今先進之OLED顯示與照明產業的薄膜封裝，大幅降低封裝成本與提高元件壽命及品質。

作者:賴識翔、董福慶、林義鈞、鄭皓蓬應用於OLED照明之薄膜沉積設備模組技術

OLED照明是一種平面的光源，亮度與色溫具可調且具高演色性，但OLED元件仍有許多需改進的地方，成本過高便是其中之一，因此OLED關鍵製程設備之開發是刻不容緩的。工研院機械所提出創新概念之面型蒸鍍源技術，成功地開發出面型蒸鍍驗證平台設備。以此新穎面型蒸鍍源設備技術成功驗證膜厚不均勻度＜± 5 %、材料利用率可達70 %及製作出高演色指數＞ 80之OLED元件等。此外，工研院機械所亦提出創新的薄膜封裝製程設備概念，以原子層沉積技術製作高阻水氣之奈米級薄膜，其製程溫度小於100℃，且薄膜厚度小於100 nm，其水氣穿透率小於5×10-6 g/m2/day，並已成功應用於OLED元件上。

作者:董福慶、吳慶輝、羅展興太陽光電產業中的電漿輔助化學氣相沉積技術應用

作者:吳佩珊、董福慶大面積電漿源鍍膜技術介紹

作者:董福慶、吳慶輝、羅展興太陽光電產業與電漿輔助化學氣相沉積實驗平台簡介

作者:董福慶、吳佩珊、陳家銘、林重勳、魏大欽、趙修武、吳慶輝高密度電漿源的模擬與量測分析

作者:董福慶、金崇碩、黃曼琦、張翼、黃金花、羅展興矽薄膜太陽能電池與HIT電池介紹

作者:董福慶、吳佩珊、金崇碩、張翼、黃金花超高頻PECVD成長微晶矽薄膜

本文乃就超高頻PECVD成長微晶矽薄膜量測分析撰文。微晶矽薄膜主要是用矽甲烷（SiH4）與氫氣（H2）的混合，經由超高頻40.68MHz激發電漿解離進行薄膜沉積。在產業生產需求上，降低生產成本為主要目標。太陽電池為求降低更大的成本，則較高的模組效率與鍍膜速率是必需的。本質層微晶矽薄膜的結構受到製程參數極大的影響，諸如電漿功率密度、基板溫度、氣體流量比例與沉積時的真空壓力。調整這些鍍膜沉積的參數，以研究其沉積的薄膜所對應的各種電性與微結構性質，從其中找出最佳沉積條件以應用於高效率矽薄膜太陽電池。

作者:董福慶、吳佩珊、趙修武、林重勳、魏大欽高密度電漿源氣流場模擬分析

以電漿輔助化學氣相沉積設備進行低溫微晶矽薄膜的成長，在太陽能產業中引起極大的注意，特別是在製造矽薄膜太陽電池上。藉由矽甲烷（SiH4）與氫氣（H2）混合後，經由氬電漿解離反應形成微晶矽薄膜做一模擬先導研究。建立電漿模型以模擬分析在真空腔體中的製程氣體與電漿之化學反應。從真空腔體中氣相物種的運動行為了解製程參數對各種不同物種，在反應過程中生成與消耗的影響，此模型導入17個物種，37個有關電子、離子與自由基及中性物種等化學反應式來計算。所提出的二維模型之模擬分析可獲得在基板上成膜時，靠近基板的關鍵物種之重要資訊，也同時說明控制基板上成膜的主要反應機制。