作者:王亘黼、董福慶、賴識翔原子層沉積多成分薄膜填孔與封裝應用
新興相變化記憶體製程朝向多成分薄膜以及縱深填孔技術發展，亟需高深寬比多層數之保形披覆先進奈米薄膜，以因應高容量、高密度電子元件之需求。現有之高速高容量晶片使用物理氣相沉積法沉積薄膜，遭遇高深寬比(10:1)、多成分精準度及鍍膜均勻性困難。然而，綜觀薄膜沉積技術，唯有原子層沉積可生產高度保形膜層。本文將介紹工研院機械所專利之低溫(< 100°C)原子層鍍膜設備，同時導入多模態離散注入前驅物質技術，提升鍍率以及孔隙深入能力，有效達到多成分薄膜填孔均勻性之產業應用規格。