作者:黃昆平、吳采亮、黃冠中半導體多片晶圓微波退火技術開發
半導體晶圓微波退火最大特色就是可較低溫完成退火目的[1-3]，這低熱預算(thermal budge)的退火製程對半導體製造是一大優勢。半導體在前段、後段或封裝製造製程裡，對摻質活化、缺陷修補或高分子固化等需作加熱退火改質。然而半導體製程隨著摩爾定律的演進，為避免摻質擴散或對材料結構的破壞，退火可容許的溫度較過去越來越低。半導體材料的成分鍵結可對微波能量直接吸收，進而產生振動或轉動達到低溫的退火目的。微波波長長穿透性高，很適合進行多片晶圓同時退火處理的開發，以達到提升產能的功效。