作者:王浩偉、張奕威、Abraham Mario Tapilouw、張樂融晶圓厚度及翹曲檢測技術發展
隨著半導體尺寸微縮趨勢，晶圓厚度越來越薄，對表面的要求也越來越高。晶圓翹曲或厚度變化過大，將導致晶圓破裂和後續製程的偏差，非接觸精確量測和反饋總厚度變異thickness（TTV, Total Thickness Variation）、翹曲（Warp）、彎曲（Bow）資料，對製程良率至關重要。但不同的晶圓厚度範圍、晶圓表面粗度、線上檢測等要求，將對量測方法有所限制，本文將比較各量測方法的適用性，並就共焦方法的量測原理、架構、量測比對，及未來需求發展作進一步介紹。