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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:翁志強、李祐昇、丁嘉仁、張高德、楊志強、曾永標大面積大氣電漿改善輪磨加工後碳化矽晶圓翹曲量的先期研究

碳化矽（SiC）是一種寬帶隙半導體材料，是克服矽在高壓/高功率器件中局限性的具吸引力候選材料，已廣泛的被應用在儲能、風電、太陽能、電動車等對高功率、高壓具高度要求的產業。然而，眾所周知，碳化矽因其超硬、脆性和熱化學穩定性的固有特性而難以進行高效和平滑的加工。再者，因應SiC晶圓尺寸的放大，具有高材料移除效率的輪磨製程逐漸成為加工的主流之一。然而，由於塑性變形和斷裂等「應力誘導」現象，研磨過程不可避免地會在晶圓表面下方引入損傷層。本文嘗試以自行發展的大氣電漿乾式蝕刻設備，去除輪磨加工應力導致的翹曲。實驗初步結果顯示大氣電漿設備可快速且有效的將晶圓翹曲量由單面輪磨(採用8000號砂輪)後的110-150 µm，降回10-20 µm（輪磨前的晶圓翹曲量）。

作者:謝宏麟、張耀中、李朱育、曹庭豪基於閃頻疊紋法之晶圓翹曲量測技術

現階段半導體技術已邁入2 nm製程，晶圓品質管控愈加關鍵，其中表面形貌（如翹曲量）更為直接影響產品良率之重要指標。本文提出一套創新的閃頻疊紋式晶圓翹曲量測技術。此套系統由LED光源、線性光柵、透鏡組及CCD相機組成，透過疊紋法將光柵影像投射至晶圓表面後再反射回CCD相機，經與數位參考光柵交疊產生疊紋影像。當晶圓翹曲時，疊紋相位隨之變化，而後透過閃頻技術的使用，即可精準量測高速旋轉狀態下，待測晶圓於各徑向點之相位，進而換算出其相對應之翹曲值與表面輪廓。經實驗驗證，此系統之角度解析度可達0.21 μrad。