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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:許劭聿、凡恩森、呂曼寧、楊舒閔、高端環、陳玠錡、黃萌祺、張佑祥先進封裝技術與異質整合發展趨勢分析：以TSV、TGV為例

隨著摩爾定律逐漸放緩，異質整合已成為提升系統效能與功能密度的關鍵技術。先進封裝技術不僅是晶片尺寸縮小的延伸，更是異質系統整合的核心支撐。本文探討了二種具代表性的先進封裝技術：穿矽通孔 (Through Silicon Via ,TSV)以及玻璃穿孔 (Through Glass Via ,TGV)，分析其技術原理、優缺點與應用場景，並比較其在成本、效能與可擴展性上的異同。此外，文章特別針對玻璃穿孔 (Through Glass Via ,TGV) 製程挑戰進行深入分析，並介紹工研院開發之創新濕式製程，有效解決物理氣相沉積 (Physical vapor deposition，PVD) 於高深寬比孔洞中附著與填充不良問題，為未來異質整合封裝提供具備實用性與可量產潛力的解決方案。

作者:呂曼寧、高端環、凡恩森、陳玠錡、廖翌安、林敬捷、黃萌祺解鎖TGV 銅填孔技術中通孔間距扮演的關鍵角色

玻璃通孔（Through-Glass Via, TGV）技術為次世代先進封裝與面板級異質整合的重要關鍵。然而，高深寬比TGV 銅填孔製程容易受到添加劑交互作用、電流分布及通孔間距（pitch）差異影響，導致孔洞、填孔不均勻等缺陷。本研究提出結合階梯式脈衝電鍍與單一添加劑系統創新銅填孔技術，透過脈衝電流調控與沉積行為最佳化，有效平衡不同pitch結構中的銅成長速率，實現均勻且無缺陷的由下而上填孔，同時，導入應力緩衝層設計，降低研磨製程中殘留應力及玻璃破裂風險。本技術可於不同pitch條件下達成高品質、低面銅且無缺陷之TGV銅填孔，具備大面積面板製程與量產應用潛力。