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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:周敏傑、黃萌祺、高端環、黃悅真、黃鄭隆晶圓測試探針卡設計與製造

開發高階新興半導體產品量產測試所需的探針卡，提昇針測能力(數量與速度)是維持台灣半導體測試產業競爭力之關鍵。CIS影像感測器是最具潛力與成長性的半導體產品之一。本文提出一種製做懸臂式微機電探針卡的方法。它包括以微機電製程及合金電鑄技術製作積體化高硬度微針，以雷射觸發金屬化技術製作的3D陶瓷電路板, 並以雙面對準技術將探針與陶瓷電路板進行接合。它可應用於未來超高畫素CIS感測器晶圓之測試，提高針測速度。

作者:黃萌祺半導體與光電產業設備技術專輯主編前言

作者:黃萌祺、楊捷、鄭文欽、呂文鎔、陳玠錡3D結構電子先進製造技術

現今的電子產品發展趨於微型化，並且功能也日益增加，因此金屬線路與元件亦須朝著高密集度、3D結構且輕薄化的方向發展，故將電子電路及其零組件整合至立體結構件形成3D結構電子為重點發展趨勢，目前在智慧結構件、通訊電子、車用電子及醫療電子等領域皆擁有高度的需求。本文將介紹工研院開發之3D結構電子關鍵技術，利用智慧化3D元件接合技術與局部低溫金屬焊接技術，並配合LIM (Laser Induced Metallization) 3D線路製造技術，達到高精度3D結構電子製作之目的。

作者:張佑祥、梁烝輔、王偉彥、陳玠錡、黃萌祺高深寬比玻璃通孔金屬化與填孔電鍍技術

近年來，三維電子封裝與異質整合技術已經被廣泛的討論與發展。高深寬比玻璃通孔(TGV)的基板是作為中介層的選項之一。因為玻璃基板具有以下優點：低介電係數、超高電阻率、高尺寸安定性、與銅的熱膨脹差異小以及良好的機械性質。然而，透過全濕式製程來完成玻璃金屬化與無缺陷高深寬比TGV填孔技術是難以實現的。本研究，利用簡單的全濕式製程技術，開發出玻璃金屬化技術和無缺陷高深寬比TGV填孔技術。此外，此TGV填孔技術是在直流電(DC)的模式下，通過使用單一添加劑電鍍配方系統在電鍍液完全靜止(無流場)的狀態下完成的全新填孔電鍍製程。

作者:黃萌祺先進製造技術專輯主編前言

作者:黃萌祺、高端環、林冠廷、蕭富仁、李明遠智慧化雷射修整天線技術與設備

隨著多樣性產品與元件對於輕薄短小之體積要求逐漸增加，微波介質陶瓷元件因具有體積小、元件密度高等優勢，而需求量大幅增加。但由於微波介質陶瓷元件的製作方式是使用銀漿料或銅漿料置於網版中進行圖案印刷後，再將陶瓷基板進行高溫燒結，銀膠高溫燒結後與陶瓷二次燒結所產生的膨脹係數差異將導致尺寸收縮，將會造成造成線路偏移，導致微波介質陶瓷元件之訊號不準確，故目前廠商採取人工修整方式，進行天線訊號調整，需耗費大量人力與品質不穩定等問題。本論文開發智慧化雷射修整天線技術，整合紅光雷射、視覺系統、向量分析儀等進行線上天線訊號量測與中心頻率修整，可取代傳統人工手動修整天線方式，智慧化雷射修整天線時間只需要20秒內，大幅降低天線修整時間達3倍以上，最小修整線寬可達60 µm以內，符合未來B4G（Beyond 4G）或5G高頻模組之發展需求。

作者:黃萌祺副組長先進製造技術專輯主編前言

作者:林政毅、林昭志、高端環、黃萌祺、李遠明微波介質陶瓷金屬化之製作與研究

本研究藉由雷射圖案化與無電鍍銅方式將微波介質陶瓷金屬化，整個金屬化的過程溫度相對其他製程方法如：低溫共燒多層陶瓷（Low Temperature Co-fired Ceramics, LTCC）、直接覆銅接合技術（Direct Bond Copper, DBC）製程低，顯示此技術能夠有效地降低能源的損耗和大幅地減少冷卻設備的成本。另外，此製程相較於傳統銀漿燒結方法，孔壁內的金屬不會有短路或附著不完全的現象發生。因此每批陶瓷雷射金屬化完成後不需要逐顆地檢查，不只能縮短整個製程的時間，也能減少人力成本的支出。雷射參數經過最佳化後，最小線路寬度誤差在±50 μm，線路的位置精準度則在±50 μm內，訊號的正確性和可靠度皆會提升。此外，本計畫能藉由雷射進行圖案化修整，將能使陶瓷元件進行頻率位移與效率提升，有助於解決陶瓷材料之成份差異而造成元件頻偏之問題。

作者:黃萌祺、高端環3D IC高深寬比銅電鑄製程技術

作者:黃萌祺、高端環、柯志諭3D IC銅電鍍製程與設備

作者:周敏傑、蘇胤淳、陳致帆、彭耀祈、黃萌祺高功率LED固晶技術

作者:彭耀祈、饒智昇、黃萌祺可控光型及防眩燈具之膜材研究及其應用