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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:徐得銘X光散射術之半導體檢測應用

利用X光（X-ray）所發展的小角散射術（small angle X-ray scatterometry, SAXS），其量測解析度遠高於傳統使用深紫外光（deep ultraviolet, DUV）的散射術。本文章將利用NIST所發展的小角散射術及美國國家實驗室的先進光子源（advanced photon source, APS）同步輻射加速器的X光來量測疊對光柵之疊對位移。在此我們製作了一多組疊對光柵，且每組彼此之間具有1 nm的疊對位移差值，利用小角散射理論或是嚴格耦合波理論（rigorous coupled-wave analysis, RCWA）分析其散射訊號，可得其三維結構及疊對位移值。從分析的數據可知，利用X光的小角散射術具有非常好的疊對位移解析度，其對於未來先進半導體製程檢測將是一大利器。

作者:黃宏奕、徐敏軒、蔡輔安、莊智傑、廖洺漢光電製程與設備之熱效應技術

熱效應對於半導體光學元件以及半導體電子元件均佔有很重要的影響；對半導體電子元件而言，會影響到載子的擴散速度、元件可靠度、元件均勻度以及載子遷移率等；而對於半導體光電元件而言，則會影響到晶圓的撓曲量，進而破壞光電元件的發光效率與後續製程的穩定度，所以如何有效的掌握熱效應以及做對應的半導體機台設備設計，就變得非常重要，本文將會進行一系列的探討與先期研究。

作者:陳邦旭原子層沉積法與原子層蝕刻法在光電半導體之應用

在先進半導體元件、高速運算與通訊、元宇宙、電動車與綠色能源儲能產能各個面向殷切需求下，新的技術，新的製程提供新的材料與架構，其中具有原子單層與區域控制能力的原子層沉積法與原子層蝕刻法受到廣泛的注意。本文將介紹原子層沉積法與原子層蝕刻法機制，並介紹目前主要原子層沉積法與原子層蝕刻法的相關製程設備，另概述原子層沉積法在光電半導體中之應用，以及原子層蝕刻法在不同基板應用，最後討論有關於此兩項技術的未來發展與挑戰。

作者:呂建興全球寬能隙半導體設備產業的機遇與挑戰

碳化矽(SiC)作為第三類半導體材料，在電動車、5G通訊等領域潛力巨大。目前，國際大廠主導設備市場，臺灣面臨技術與成本挑戰。本文分析全球碳化矽半導體製程設備趨勢，聚焦單晶生長、薄膜沉積、精密加工與檢測等關鍵技術。針對臺灣，建議發展自主知識產權、推動產學研合作、強化國際鏈結，以提升在全球供應鏈中的競爭力，把握產業發展機遇。