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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:許世明、羅憶青、彭鈺原、黃仲平、尹慶中MOCVD反應腔之即時監測技術

矽基氮化鎵發光二極體（LED）的磊晶製程是在高溫真空密閉腔體內進行，常見製程方法為金屬有機化學氣相沈積（MOCVD）與分子束磊晶（MBE）。溫度變化、沈積材料及薄膜厚度等，都會影響磊晶薄膜的品質。本研究旨在發展線上光學非接觸式量測技術，即時測量薄膜磊晶的製程參數：曲率、反射率與溫度。晶圓反射率是磊晶膜的折射率及厚度的函數，亦是高溫輻射溫度計的修正因子，由反射率歷時曲線可觀察晶圓表面的粗糙度及磊晶膜成長率。矽基氮化鎵製程的晶圓曲率過大，磊晶膜容易產生缺陷或脫落。本文以即時量測系統的理論模型建立與實驗架構開發為主，透過有效地即時監測並回饋製程系統做補償，作為未來發展高溫化學反應腔即時量測系統的基礎。