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作者:李昌周、柯志諭、張耀仁、莊佳橙、楊仁傑、吳文端、許進明常壓下軟性液晶顯示器封裝技術

作者:張志宇、王慶鈞、蔡豐羽原子層沈積技術於有機太陽能電池薄膜封裝之應用

有機太陽電池因其潛在優點如成本低廉、製程簡便、易於大面積化、具撓曲性等，被視為是未來太陽能技術發展之趨勢。欲成為實用的替代能源，有機太陽電池除了必須具備足夠的光電轉化效率外，還必須具備高度的穩定性。其中光轉化效率已是廣泛研究的主題，但元件穩定性之解決方法仍有待開發。由於機太陽電池元件的材料極易受環境（以水氣與氧氣為主）影響而產生急速劣化，必須以隔絕性極佳之封裝方法加以保護，其封裝的效果必須遠高於一般微電子產品的封裝方式，因此封裝技術將直接影響產品的成敗。本文將針對有機太陽電池的封裝技術發展及其趨勢做深入淺出的介紹。

作者:賴豊文、林昆蔚低溫連續式複合薄膜封裝技術

本研究利用感應耦合電漿化學氣相沉積系統及採用六甲基二聚矽氧烷作為反應氣體，以連續低溫製程方式沉積類有機矽基薄膜與無機氧化矽薄膜於可撓式塑膠基板上製作氣體阻障層，藉由沉積適當條件之類有機矽基薄膜能有效降低無機氧化矽薄膜與可撓式塑膠基板間之殘留應力，進而提升薄膜附著度及阻水氣能力。以此方式連續沉積多層堆疊薄膜，具有高達90%之可見光穿透率且可達水氣滲透率小於5.7×10-6 g/m2/day。本封裝技術將可應用於各式軟性光電元件上。

作者:黃萌祺、高端環3D IC高深寬比銅電鑄製程技術

3D封裝整合能達到更小之封裝尺寸、更小的能源消耗與更高之傳輸速率，3D封裝技術相較於傳統的二維導線連接技術，具有更短之傳輸距離與更小之尺寸，這是因為IC晶片能直接貫穿連接，而不需其他連接線路，故被認為是未來封裝主流技術，而銅填孔於矽穿孔中當作連接層為重要之技術，其深寬比必須高達10，故本論文將探討高深寬比銅填孔製程。

作者:彭耀祈、林建憲、張文鏵、林政毅、李麗玲、洪榮木高效率LED光源立體封裝應用技術

由於LED為指向性光源，並不同於傳統光源的發光特性，若是採用傳統燈具的作法，將不易發揮LED光源的特色，反而降低LED燈具的發光效率，增加燈具成本與體積。LED立體封裝技術大幅提升光學設計人員之可調變性，經實驗與光學模擬結果顯示：LED立體封裝模組之光使用效率可達90%以上，由於立體封裝模組具有薄型化、製作速度快與光型可調自由度高等特點。模組將可輕易整合至不同應用場合（路燈、室內燈、景觀燈等…），有效節省建置與維護成本，成功達成有效節能與提升照明品質之目標。

作者:曾銘宏、王慶鈞、蔡豐羽有機光電元件封裝之原子層沉積製程與設備技術

有機光電元件（如OLED與有機太陽能電池等）必須採用可有效阻隔水氧的封裝技術，始能達到具實用價值之使用壽命。原子層沉積技術（atomic layer deposition，簡稱ALD）具有高表面覆蓋性、低溫製程、低薄膜缺陷密度、單層即有低水氧穿透率等優點，乃為最能有效封裝有機光電元件的薄膜製程技術，但ALD之低成膜速率一直為其實際量產應用之潛在障礙。針對此問題，相關廠商已相繼投入量產化ALD設備的開發，除大幅提升ALD沉積速度外，更已成功驗證了可大面積鍍膜、非真空製程、與快速roll-to-roll製程的設備，使ALD可望成為有機光電元件之薄膜封裝量產製程。

作者:黃萌祺、高端環、柯志諭3D IC銅電鍍製程與設備

未來消費性電子產品將朝向輕、薄、短、小及多功能等方向發展，而傳統的二維導線連接技術已無法滿足高速傳輸與晶片體積等問題，將逐漸被3D IC構裝技術所取代。由於高深寬比之銅填孔製程中需要使用特殊的電鍍液及電鍍設備，且因電鍍時間相當長，因此3D TSV製程中以銅填孔（Via Filling）及接合製程占成本之最大比例。本論文將探討TSV填孔電鍍原理及目前填孔專用電鍍設備架構的設計趨勢，並針對TSV銅電鍍技術進行分析及評估，指出TSV銅填孔電鍍技術對TSV通孔製程之影響。

作者:莊東漢、蔡志欣、李俊德、蔡幸樺次世代LED銲線技術發展趨勢與現況

傳統電子封裝打線接合採用純金線，其與鋁墊會在接合界面反應形成大量脆性介金屬化合物，影響產品可靠度。若採用銅線取代純金線不僅有氧化問題，使封裝產品可靠度有更大風險，而且其界面介金屬化合物不易形成，亦會造成打線接合不良的疑慮。銀合金線具有成本較低、抗氧化性佳、且銲點界面介金屬化合物成長適中的優點，尤其新近開發成功具大量退火孿晶結構之銀金鈀合金線具有高可靠度及耐電遷移特性，先前報導在IC半導體封裝產品驗證之打線接合品質與純金線不相上下，其可靠度試驗結果甚至超過純金線與銅線[1]，本文進一步證實此一創新退火孿晶結構之銀金鈀合金線在LED封裝應用同樣展現優異性能，更由於銀的高反射率，採用銀合金線的LED封裝產品亮度提高3.2 %，使其較IC半導體封裝之應用更增加一項優點。

作者:陳柏志、鄭泗東、鄭詠仁、陳俊漢、顏鴻程、翁英哲氮化鎵功率元件之散熱封裝技術

在本文中，為提升氮化鎵功率元件的效能，我們開發一種具有新式封裝的矽基氮化鎵高電子遷移率電晶體（GaN HEMT）元件。為增進此元件的散熱性能，特別設計了一個具有V型凹槽的銅基板，使元件貼附在V型凹槽中，並且承載在TO-3P的導線架上。封裝結構設計在元件的周邊表面上以提升矽基板的散熱效果，並研究結構設計與製造程序對元件效能與熱阻的影響。使用紅外線熱影像儀與微拉曼光譜儀來實際量測元件之溫度分布及傳熱情形，並比較兩種量測方法的實驗結果。由實驗結果得知，此單晶片在100 V的汲極偏壓下具有22 W的功率散逸。在提升氮化鎵電晶體的散熱性能之後，將進一步使採用氮化鎵功率元件的變頻器的效率更高、體積更小，達成節能減碳的目標。

作者:張文鏵、黃萌祺、饒智昇UV LED液態封裝技術

本技術開發兩項突破性技術，（A）液態封裝技術：解決UV LED封裝的膠材黃化問題，並可大幅提升散熱效率達30%以上；（B）高折射率液體開發技術：大幅提升LED出光效率達10%以上。

（A）液態封裝技術：以矽油、礦物油等化學鈍性液體直接接觸晶片進而封裝UV LED：不但可大幅提升出光效率並增進出光面之熱發散，更可避免水氣或氧氣侵蝕電極。此外設計有特殊流道結構之UV燈具：利用熱虹吸原理，自發驅動液體而產生導向性循環流，透過流道幾何結構與參數優化，產生多向散熱，解決現行單向基板散熱問題，大幅提升散熱效率達30%以上，再者，流動液體可抑制黃化反應，解決現有固態矽膠封裝所產生之黃化效應；（B）高折射率液體開發技術：利用高折射率酯類、粒子與矽油之均質混鍊而得到高折射率之均勻液體，減少折射率差距，可提升LED出光效率10%以上。

作者:翁志強、徐瑞美大氣壓電漿於金屬表面還原之應用

金屬雙極板具有低成本與高機械強度的特性，但是質子交換膜燃料電池的金屬雙極板因為操作在溫度較高的硫酸環境中，所以金屬板會遇到腐蝕的問題。透過雷射披覆碳膜於金屬雙極板上可提供抗腐蝕之保護。

作者:曾銘宏、許哲誠、林龔樑、王慶鈞、蔡豐羽撓性光電元件封裝技術

隨著智慧行動裝置與可穿戴裝置的快速發展，輕薄之可撓式光電元件將是未來發展主力，其商品化成功與否之關鍵在於可撓式封裝技術之開發。由於可撓光電元件封裝需求極為嚴苛，要達到元件封裝需求與高撓曲度極為困難。目前已被驗證之可撓式光電元件封裝方式有使用超薄玻璃、預鍍阻氣層之高分子基板、薄膜封裝等方式。本文將針對各種可撓式封裝技術進行介紹，並比較不同技術之間的差異，以期能讓大家有更進一步的了解。

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