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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:許劭聿、凡恩森、呂曼寧、楊舒閔、高端環、陳玠錡、黃萌祺、張佑祥先進封裝技術與異質整合發展趨勢分析：以TSV、TGV為例

隨著摩爾定律逐漸放緩，異質整合已成為提升系統效能與功能密度的關鍵技術。先進封裝技術不僅是晶片尺寸縮小的延伸，更是異質系統整合的核心支撐。本文探討了二種具代表性的先進封裝技術：穿矽通孔 (Through Silicon Via ,TSV)以及玻璃穿孔 (Through Glass Via ,TGV)，分析其技術原理、優缺點與應用場景，並比較其在成本、效能與可擴展性上的異同。此外，文章特別針對玻璃穿孔 (Through Glass Via ,TGV) 製程挑戰進行深入分析，並介紹工研院開發之創新濕式製程，有效解決物理氣相沉積 (Physical vapor deposition，PVD) 於高深寬比孔洞中附著與填充不良問題，為未來異質整合封裝提供具備實用性與可量產潛力的解決方案。

作者:張佑祥、梁烝輔、王偉彥、陳玠錡、黃萌祺高深寬比玻璃通孔金屬化與填孔電鍍技術

近年來，三維電子封裝與異質整合技術已經被廣泛的討論與發展。高深寬比玻璃通孔（TGV）的基板是作為中介層的選項之一。因為玻璃基板具有以下優點：低介電係數、超高電阻率、高尺寸安定性、與銅的熱膨脹差異小以及良好的機械性質。然而，透過全濕式製程來完成玻璃金屬化與無缺陷高深寬比TGV填孔技術是難以實現的。本研究，利用簡單的全濕式製程技術，開發出玻璃金屬化技術和無缺陷高深寬比TGV填孔技術。此外，此TGV填孔技術是在直流電（DC）的模式下，通過使用單一添加劑電鍍配方系統在電鍍液完全靜止（無流場）的狀態下完成的全新填孔電鍍製程。