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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:楊宏仁、詹逸民、陳頤承、黃志仁、吳建樹、翁得期、陳麒麟透明導電層在矽薄膜太陽電池上之應用

作者:杜陳忠、梁沐旺矽薄膜太陽能電池之矽鍍膜設備技術發展近況

作者:郭明村矽薄膜型太陽電池模組量產技術現況

作者:董福慶、吳佩珊、金崇碩、張翼、黃金花超高頻PECVD成長微晶矽薄膜

本文乃就超高頻PECVD成長微晶矽薄膜量測分析撰文。微晶矽薄膜主要是用矽甲烷（SiH4）與氫氣（H2）的混合，經由超高頻40.68MHz激發電漿解離進行薄膜沉積。在產業生產需求上，降低生產成本為主要目標。太陽電池為求降低更大的成本，則較高的模組效率與鍍膜速率是必需的。本質層微晶矽薄膜的結構受到製程參數極大的影響，諸如電漿功率密度、基板溫度、氣體流量比例與沉積時的真空壓力。調整這些鍍膜沉積的參數，以研究其沉積的薄膜所對應的各種電性與微結構性質，從其中找出最佳沉積條件以應用於高效率矽薄膜太陽電池。

作者:董福慶、吳佩珊、趙修武、林重勳、魏大欽高密度電漿源氣流場模擬分析

以電漿輔助化學氣相沉積設備進行低溫微晶矽薄膜的成長，在太陽能產業中引起極大的注意，特別是在製造矽薄膜太陽電池上。藉由矽甲烷（SiH4）與氫氣（H2）混合後，經由氬電漿解離反應形成微晶矽薄膜做一模擬先導研究。建立電漿模型以模擬分析在真空腔體中的製程氣體與電漿之化學反應。從真空腔體中氣相物種的運動行為了解製程參數對各種不同物種，在反應過程中生成與消耗的影響，此模型導入17個物種，37個有關電子、離子與自由基及中性物種等化學反應式來計算。所提出的二維模型之模擬分析可獲得在基板上成膜時，靠近基板的關鍵物種之重要資訊，也同時說明控制基板上成膜的主要反應機制。

作者:杜陳忠、林冠宇、梁沐旺電漿光譜監控之微晶矽薄膜沉積研究

在高效率矽薄膜太陽電池的微晶矽薄膜沉積過程中，電漿中活性物種（例如SiHx, H）的濃度變化會影響製程之穩定性，本文以即時電漿調變技術控制活性物種濃度，探討應用電漿光譜分析儀（OES）於沉積微晶矽薄膜製程的穩定性研究。

從X光繞射干涉儀（X-Ray Diffraction, XRD）以及掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope, SEM）分析後，顯示經由適當的調控活性物種電漿光譜比值（SiH*/Hα），可以控制微晶矽薄膜的組織微結構；而且應用在多次相同沉積製程時，從拉曼光譜儀（Raman Spectrometer）分析薄膜結晶率的結果顯示，微晶矽薄膜結晶率的變化率約5%左右；因此從本研究結果顯示應用即時電漿調變技術於大量生產微晶矽薄膜時，有助於獲得長時間的電漿鍍膜製程穩定性。

作者:王慶鈞、王瑞豪、連水養、陳家富透明導電薄膜之應用概論

透明導電膜定義上是指在可見光波長在380-760 nm範圍內，具光穿透率80％以上且比電阻值1´10-3 W•cm等特性的薄膜材料。透明導電電極主要可分為兩種，一種是金屬薄膜；另一種就是現在光電產品使用的透明導電氧化物（Transparent conductive oxide, TCO）。由於金屬本身就是一種良導體而不具有透光性。但金屬厚度為約100Å以下（Å = 1×10-10m）時，金屬薄膜即可以呈透明性，但是相對愈易形成不連續的薄膜，導致其導電率（conductivity）因而下降，所以不適作為透明電極之用。反之，透明導電氧化物（目前商用約8000Å）在可見光區域（約380-760 nm）有著高透光性且具適當的導電性，因此廣泛地被應用在商用光電產品中而成為高應用性的透明導電電極材枓。

作者:馬寧元、許恭銘、邱松茂、張凱傑、黃建龍有機發光二極體（OLED）顯示器之製造方法

本文概述有機發光二極體（OLED）顯示器之基本製造步驟與材料。有機發光二極體顯示器之製方法包括TFT背板製造、OLED 之加工與模組組裝。顯示器具高精密度之製造技術與潔凈度，清洗製程是高產率之重要因素。OLED顯示器之清洗方法包括物理方法、化學方法與乾式清洗法。於OLED之加工包括電洞輸送層、發光層與電子輸送層之有機層蒸鍍、陰極蒸鍍、功能性測試與封裝，而於模組之組裝包括基材切割、光學層蒸鍍、電極與封裝功能與壽命測試。OLED顯示器仍須經持續性之時間研發以開發技術才能達到量產地步。

作者:賴豊文、林昆蔚低溫連續式複合薄膜封裝技術

本研究利用感應耦合電漿化學氣相沉積系統及採用六甲基二聚矽氧烷作為反應氣體，以連續低溫製程方式沉積類有機矽基薄膜與無機氧化矽薄膜於可撓式塑膠基板上製作氣體阻障層，藉由沉積適當條件之類有機矽基薄膜能有效降低無機氧化矽薄膜與可撓式塑膠基板間之殘留應力，進而提升薄膜附著度及阻水氣能力。以此方式連續沉積多層堆疊薄膜，具有高達90%之可見光穿透率且可達水氣滲透率小於5.7×10-6 g/m2/day。本封裝技術將可應用於各式軟性光電元件上。

作者:沈昌宏、謝嘉民、吳宗達、黃哲瑄、戴寶通以濺鍍後硒化法製作高效率大面積CIGS太陽能電池

近年來銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽電池具有高效率、低成本的潛力，因此有機會取代成本昂貴的矽晶圓太陽電池。為此，本團隊以濺鍍法配合無毒硒化技術，輔以大面積（G1 30×40cm2）連續性濺鍍系統，以開發具量產價值之CIGS薄膜太陽能電池。利用本團隊之大面積（G1 30×40cm2）連續式濺鍍系統（可裝置10組靶材），可搭配使用一至三元的CIG相關靶材製備不同堆疊順序之結構。新穎大面積（G1 30×40cm2）金屬元素硒化設備，可獨立控制硒蒸氣流量及基板溫度，開發無毒硒化製程。藉由大面積之無毒硒化法可製作高結晶性CIGS薄膜，此G1大面積CIGS太陽能電池轉換效率可達6%。

作者:魏敬易、藍宏利光學薄膜對皮秒雷射加工機之影響性

雷射技術已廣泛應用於機械加工產業，光學薄膜的設計與製鍍對於其有愈來愈重要之趨勢，隨著雷射的峰值功率和脈衝能量提升，所需之雷射鏡片要求越來越嚴格，傳統之光學薄膜已無法滿足現今需求，對於皮秒雷射加工機內光學鏡片所需膜質較高之薄膜，本文將概述針對皮秒雷射加工機內所應用之光學薄膜設計方向與檢測技術。

作者:陳智禮皮秒光纖雷射應用於CIGS薄膜太陽能電池製程

本篇擬簡介CIGS薄膜太陽能電池架構，以及光纖雷射在CIGS畫線製程上的應用。相較於傳統奈秒雷射，使用皮秒雷射可獲得較好的加工結果。並介紹工研院雷射應用中心所開發之100皮秒脈衝雷射源應用於CIGS製程上的參數測試實驗結果。