機械工業網 - 機械產業的入口網站

作者:楊宏仁、詹逸民、陳頤承、黃志仁、吳建樹、翁得期、陳麒麟透明導電層在矽薄膜太陽電池上之應用

作者:江柏風、陳建志、王慶鈞、黃智勇、陳思豪、陳志勇創新OLED生產技術加速OLED商品化

採用點蒸鍍技術生產OLED產品時，在OLED材料的利用率只有3％，使得OLED的成本一直居高不下。惟有改善生產技術，採用線蒸鍍或是噴墨印刷等技術方可大幅提昇材料使用率與縮短生產時程，並且在大型化生產上亦無障礙，唯有採用創新的鍍膜生產技術，才能降低OLED的生產成本，使得OLED無論是應用在Display或Lighting上，可以與現有之產品相互競爭，以儘早將OLED相關產品推進到商品化的階段。

作者:黃建福、吳建良、楊宏仁、王友志、劉俊岑低壓化學氣相沉積技術

由於矽薄膜太陽電池使用純矽原料少，與面板業技術大致相通可進行大面積化的玻璃製程，且透光型太陽電池可應用於建築材料上而達到發電且美觀的目的，因此矽薄膜太陽電池技術在眾多太陽電池技術中格外受矚目，然而矽薄膜太陽電池目前仍有玻璃基板與透明導電膜成本過高的問題。本文除了介紹透明導電層在矽薄膜太陽電池上之應用外，並比較目前各技術開發的現況，也說明低壓化學沉積技術之發展現況。

作者:王慶鈞、王瑞豪、連水養、陳家富透明導電薄膜之應用概論

透明導電膜定義上是指在可見光波長在380-760 nm範圍內，具光穿透率80％以上且比電阻值1´10-3 W•cm等特性的薄膜材料。透明導電電極主要可分為兩種，一種是金屬薄膜；另一種就是現在光電產品使用的透明導電氧化物（Transparent conductive oxide, TCO）。由於金屬本身就是一種良導體而不具有透光性。但金屬厚度為約100Å以下（Å = 1×10-10m）時，金屬薄膜即可以呈透明性，但是相對愈易形成不連續的薄膜，導致其導電率（conductivity）因而下降，所以不適作為透明電極之用。反之，透明導電氧化物（目前商用約8000Å）在可見光區域（約380-760 nm）有著高透光性且具適當的導電性，因此廣泛地被應用在商用光電產品中而成為高應用性的透明導電電極材枓。

作者:沈威志、郭靜男、鄭中緯飛秒雷射之透明材料內部改質應用

所謂超快雷射是指其脈衝寬度達到皮秒甚至飛秒的等級，一般當雷射功率密度大於1013 W/cm2，此時材料對能量吸收與雷射脈衝功率密度的n次方呈非線性關係（n=1、2、3…分別表示單光子、雙光子、三光子吸收）。本文首先介紹超快雷射非線性吸收現象，並透過電子晶格雙溫模型解釋分析在飛秒尺度下，超快雷射於透明介電材料內部之雷射退火改質特性，文章後段則主要介紹南分院雷射中心，發展飛秒雷射透明材料內部改質製程技術，並將其與台灣光電產業應用做結合，包含：Stealth Dicing、生醫材料內部3D結構製作、內部光柵、LCD亮點修補…等，以提高台灣產業的製程技術與競爭力。

作者:林士欽、黃智勇、張家豪、李侃峰、江銘通、梁沐旺、王慶鈞ZnO薄膜沉積之前驅物氣化與擴散模組技術

本文主要是介紹薄膜太陽電池ZnO薄膜製程之氣體擴散模組（showerhead）及前驅物氣化裝置之設計與模擬，探討結構設計對氣體流場分佈情形之影響。而模擬分析所得數據結果不僅可以作為氣體擴散裝置及前驅物氣化設計的參考，亦可提供將來製程實驗結果之佐證依據，以及作為後續設備調整修正或改良的可行方向，以擴展氣體供應系統的實用性及產品化後之商用價值。

作者:嚴國藝、邱建華、李俊緯、林沛鋅、王慶鈞、黃振榮、梁沐旺、吳慶輝、羅展興、龔志榮氧化鋅透明導電膜之原子層沉積製程與設備技術

本論文探討原子層沉積法製備銦、鎵摻雜之氧化鋅薄應用在氮化銦鎵發光二極體透明導電層對元件特性之影響。退火後之摻雜鎵之氧化鋅薄膜在發光波段450奈米之穿透率約為95.8 %，其電阻率約為4.6×10-4 Ω-cm。而覆蓋退火後之鎵摻雜氧化鋅薄膜之氮化銦鎵發光二極體，在順向電流20 mA下，其導通電壓約為3.5 V，而發光效率增加27.5 %。退火後之銦摻雜氧化鋅薄膜電阻率約為6×10-4 Ω-cm。而以銦摻雜氧化鋅薄膜為透明導電層之發光二極體元件，退火後，在順向電流20 mA下測量其電壓為3.26 V，發光效率增加12.5%。

作者:李鈞函、陳坤坐、李閔凱觸控面板之CNT導電膜雷射蝕刻技術開發

奈米碳管由於優異的機械性質與電性，加上材料價格低廉，一直是受到高度重視的透明導電材質，雖然具有優異的特性，但是其成膜以及圖案化的問題仍無法得到較佳的改善方法。在本文中，主要探討將奈米碳管塗佈於軟性基板上製做成透明導電電極，並採用雷射圖案化技術，蝕刻軟性基板上的奈米碳管薄膜。同時探討355 nm紫外光固態雷射或1064 nm光纖雷射不同波長的雷射源對於電極品質的影響。實驗結果顯示兩種雷射圖案化過程中，奈米碳管薄膜皆可輕易地完全蝕刻奈米碳管薄膜。尤其在355 nm紫外光固態雷射的系統中，除了能夠獲得最小蝕刻線寬為20μm，並可減少蝕刻後的邊緣隆起現象，獲得良好的電極品質；實驗中所使用的試片特性，穿透率85.8 %時，片電阻為900 Ω/□。

作者:張加強綠色科技創新－低溫大氣壓電漿鍍膜技術

這是在講一群人如何利用大自然的力量與現象，達到創新綠色科技的故事。這個故事更重要的核心，在於如何發揮專業與堅持，排除種種的障礙，讓低溫大氣壓電漿鍍膜設備技術實現，並且突破國際先進光電設備產業的技術瓶頸，在國際先進設備技術建立里程碑，是少數是由台灣獨家創造的新發明。這個設備技術接連得到工研院傑出研究獎金牌、國家發明創作獎以及國家產業創新希望獎的肯定，接著登上國際舞台，得到美國R&D 100科技獎，以及華爾街日報科技創新獎（TIA, Technology Innovation Award）的殊榮。

本文將介紹低溫大氣壓電漿技術的特色、產業應用機會以及得獎背後的故事。

作者:葉羿辰透明導電膜製程設備之整合電控技術

由於LPCVD沉積的ZnO透明導電薄膜成倒金字塔狀，其形成的薄膜表面，不利後續元件製程的製作（影響界面覆蓋性與緻密度），如矽薄膜太陽電池高轉換效率的製作。因此乃於原LPCVD製程腔體旁建立（加裝/新增）一個具有離子電漿源的Loadlock腔體，除了可增加產能（Throughput）外，並可於接近大氣壓力（Atmospheric-pressure）即常壓下進行電漿表面改質（Plasma for Surface Modification）處理，希望能將LPCVD所沉積出來的ZnO薄膜，再次施以電漿作ZnO薄膜鈍化（Passivation）處理，使其表面較為圓滑平緩而利於元件的品質，故本文技術乃將兩個製程設備之整合電控技術作簡單介紹。

作者:梁沐旺、林士欽、江源遠低壓化學氣相沉積應用技術

本文主要是介紹低壓化學氣相沉積設備與高鍍率製程技術，乃藉由氣體擴散裝置（showerhead）及前驅物氣化裝置，經製程參數的設定調整，如調控壓力、基板溫度、基板與噴灑曝氣板（showerhead）距離設定、前驅物DEZn /H2O /B2H6、鍍膜時間…等，驗證使BZO透明導電膜鍍率達120 nm/min以上時，薄膜其霧度約20 %（波長550 nm），片電阻值＜10歐姆/sq，透明度80 %以上（波長400－800 nm），膜厚不均勻性小於10 %。

作者:許哲誠、林龔樑、蔡豐羽原子層沉積鍍膜應用技術

透明導電薄膜（Transparent Conductive Film, TCF）為太陽能電池等光電元件不可或缺的一部分。目前元件的發展已逐步由平面結構邁向具備高深寬比與高表面積的奈米結構，但傳統的透明導電薄膜製程技術並無法於3D的結構上均勻鍍膜。原子層沉積技術（atomic layer deposition, ALD）具有高表面覆蓋性，可於奈米結構上均勻鍍膜，並可精準地控制膜厚及薄膜組成。此外，其低溫製程、低薄膜缺陷密度等優點，使其於可撓式光電元件的開發上極具發展潛力。

歷史雜誌