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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:林政毅、林昭志、高端環、黃萌祺、李遠明微波介質陶瓷金屬化之製作與研究

本研究藉由雷射圖案化與無電鍍銅方式將微波介質陶瓷金屬化，整個金屬化的過程溫度相對其他製程方法如：低溫共燒多層陶瓷（Low Temperature Co-fired Ceramics, LTCC）、直接覆銅接合技術（Direct Bond Copper, DBC）製程低，顯示此技術能夠有效地降低能源的損耗和大幅地減少冷卻設備的成本。另外，此製程相較於傳統銀漿燒結方法，孔壁內的金屬不會有短路或附著不完全的現象發生。因此每批陶瓷雷射金屬化完成後不需要逐顆地檢查，不只能縮短整個製程的時間，也能減少人力成本的支出。雷射參數經過最佳化後，最小線路寬度誤差在±50 μm，線路的位置精準度則在±50 μm內，訊號的正確性和可靠度皆會提升。此外，本計畫能藉由雷射進行圖案化修整，將能使陶瓷元件進行頻率位移與效率提升，有助於解決陶瓷材料之成份差異而造成元件頻偏之問題。

作者:黃萌祺、高端環、林冠廷、張心豪高頻陶瓷元件雷射金屬化技術

隨著多樣性產品與元件對於輕薄短小之體積要求逐漸增加，微波介質陶瓷元件因具有體積小、元件密度高等優勢，而需求量大幅增加。本論文開發陶瓷雷射金屬化技術製作微波介質陶瓷元件應用於38GHz高頻天線與GPS （global positioning system）天線，以取代傳統銀漿網印技術與金屬漿料高溫燒結技術，其為低溫快速製程，且可利用雷射光精準控制金屬線路之位置與線寬，故最小線寬可達30 μm以下，且位置精度可控制於±50 μm以下，符合B4G或5G高頻模組之發展需求，且因低溫製程而具有高節能效益。

作者:陳玠錡、高端環、周敏傑應用於半導體設備之高濃度臭氧陶瓷金屬電極製作及封裝技術

目前高濃度臭氧產生系統主要應用於CVD、ALD、清洗等半導體製程中，其設備主要由國際大廠所供應，其中最關鍵的零組件耗材為臭氧產生之陶瓷電極電極，因其電極壽命只有一年左右且目前僅能由國外大廠提供。為因應先進製程中高濃度臭氧 ( > 13% ) 長時間穩定供應的挑戰，本研究針對臭氧產生器之關鍵元件─陶瓷金屬電極，提出一套具高介電強度、高附著力與高可靠度之製作與封裝技術。本文將以介電常數約9 (@1 MHz) 的氧化鋁陶瓷為基板材料，並搭配陶瓷雷射金屬化技術 (Ceramic Laser Metallization, CLM)，將導電金屬電極嵌入陶瓷基板內部實現共平面結構，並透過晶圓級壓合工法進行電極模組封裝，有效降低側邊漏電、裂片風險與提升電極面積。結果顯示所製作之臭氧反應電極模組可於8 kV高電壓條件下具備優異穩定性與壽命表現，展現應用於半導體用高濃度臭氧產生器的潛力。