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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:沈家志、劉志宏電漿設備技術於次世代顯示器之發展與應用

在AI 和5G 等新興科技產業帶動下，未來市場對新興顯示器產品需求將會有大幅度的增加，而發展次世代顯示器技術已成為面板產業之重要藍圖。掌握次世代顯示器之相關的製程與設備技術將視為能否早日實現商業化量產的關鍵；然而，電漿設備與其相關製程技術占將近一半，顯示電漿技術於次世代顯示器技術重要性。本文乃介紹電漿設備及其製程技術於次世代顯示器製造之發展趨勢與應用，亦概述說明工研院機械所於電漿製程設備技術之開發及其未來展望。

作者:翁志強、丁嘉仁、張高德次世代半導體晶圓複合加工技術

碳化矽（SiC）由於其優越的物理和電氣特性，被認為是用於高功率和高溫應用的下一代半導體功率器件材料。相較於矽晶圓相對容易使用機械或化學的方法加工，碳化矽晶圓的加工製程相對困難、更昂貴且需要更長的加工時間。主要因為碳化矽為一種非常堅硬、易碎的非氧化物陶瓷材料。本研究主要開發超音波輔助輪磨技術以及電漿輔助拋光兩種複合加工技術，作為提升碳化矽晶圓加工速率的手段。

作者:季宇文、胡恩蘭、黃昆平大面積石墨烯電極成長技術

作者:陳冠州、黃智勇、王慶鈞、李昌駿、劉彥禹、張詠瑄| 最優良文章 | 晶圓翹曲之應力分析技術

作者:劉俊葳、張高德、翁志強、陳稺榤、李佑昇、伍必霈高精度光學透鏡電漿拋光技術

本研究在傳統拋光製程後利用微能量束作形狀修整技術，以達到高精度品質之玻璃透鏡。大氣電漿噴嘴設計為以RF射頻電源驅動噴流，並藉由內外雙套管的設計，於內管內導入電漿製程氣體，外管導入限制電漿束尺寸的惰性氣體，以此調控內外氣體種類以及流量，實現單一噴嘴以氣流侷限方式控制電漿中央區的範圍以調控能量束口徑狀態。本實驗同時採用光學放射光譜儀分析電漿物種隨氣體比例以及功率等參數的變化，了解電漿反應與表面狀態、蝕刻速率的關係，以獲得一最佳的拋光參數。由實驗結果得知玻璃透鏡表面之蝕刻率可控制在50 nm/min至450 nm/min，表面粗糙度可達< 5 nm。

作者:沈家志、林冠宇、張家豪、劉志宏電漿蝕刻技術於晶圓切割產業之應用

電漿蝕刻製程在半導體晶片製造中為相當成熟的前段製程技術，已廣泛被應用於微機電（MEMS）微加工與立體（3D）封裝中的穿孔蝕刻等流程，而近年來因應後段半導體製程之晶圓切割技術需求提升，電漿蝕刻技術於晶圓切割產業之應用開始被關注並投入大量的開發資源。本文將會討論電漿切割於晶圓切割產業的關鍵議題與挑戰，並介紹目前電漿蝕刻設備相關進展與驗證結果。

作者:張志振石墨烯合成反應之聚焦式微波電漿技術概論

本文所述者為一種聚焦式微波電漿反應器，乃利用圓柱形準TM011模態微波共振腔之聚集微波電場之效果，據此激發聚焦式微波電漿，從而進行各種電漿輔助化學氣相沉積反應程序，如石墨烯合成反應。

作者:黃昆平、季耀仁電漿摻雜活化之微波退火技術

隨著半導體技術演進，對鰭式電晶體淺接面摻雜及活化困難到越來越高。鰭式電晶體的鰭越做越高，且間距越做越小，傳統離子佈植及雷射活化已無法滿足需求。為避免離子佈植破壞矽晶格或因寬深比（aspect ratio）的因素造成摻雜不完全之缺點，利用化學沉積法之電漿摻雜，可彌補離子佈植之缺點；另外，寬深比大之鰭式電晶體之鰭片底部的摻雜活化，由於傳統光學加熱如快速升溫退火（rapid thermal annealing, RTA）或雷射（Laser）之高溫退火，一則容易造成淺接面的摻雜擴散，二則由於光學穿透不佳，無法對鰭片底部摻雜之活化。此外，本文亦將首次介紹多片晶圓微波退火的優異成果。

作者:張志振應用於太陽電池製程之電漿源分析

作者:鍾允昇矽晶太陽電池TURNKEY方案與技術趨勢探討

作者:董福慶、吳慶輝、羅展興太陽光電產業中的電漿輔助化學氣相沉積技術應用

作者:李昇亮真空電漿設備之電控系統介紹