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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:廖剛立被動元件之電阻最新雷射製程技術應用

近年來消費性3C電子產品蓬勃發展，尤其以智慧型手機（Smartphone）尤為亮眼，在多元化的附加功能不斷增加下，一台產品所搭載的零組件數量明顯增加。在產品逐漸往小型化發展的過程中，對於被動元件產業皆是新的契機。對於新應用領域的產業，諸如：LED TV、電子書、iPod、觸控面板等產品，都涵蓋了被動元件的應用範圍，對於未來產業發展趨勢，被動元件產品也將會因應3C產品持續朝更小型化發展。

作者:利定東、胡智愷、林義鈞、邱顯智、楊宇華、簡紹安、陳自榮、王慶鈞MOCVD之加熱盤模組技術

MOCVD腔體內加熱器為一關鍵零組件，本文以熱模擬方式針對此一零組件做改變內部電阻管形狀排列及盤面材料進行最佳化設計，並以未來能應用於加熱大尺寸八吋Si基底為標的。由模擬分析，當由內到外前兩圈加熱管間距為18 mm，中間兩圈加熱管間距為17 mm，最後兩圈加熱管間距分別為18 mm與14 mm得到最佳圖形。驗證電熱管的分佈情況影響加熱器的均溫性甚劇，由中心到外緣隨著距離增加溫度降低，藉由管路間隙分佈可改善外圈溫度分佈。經由間距改變後，再進行材料分析模擬，當加熱盤材質為SiC時有最佳的均溫效果，可得盤面各處溫度差±5度，達到藍光製程所需溫度（1000~1200度）。

作者:陳邦旭、王慶鈞原子層沉積技術於電阻式記憶體元件之應用

近年來，在新型非揮發性記憶體的研究中，電阻式記憶體被視為極具潛力的候選元件。電阻式記憶體的架構為ㄧ電極/絕緣層/電極所組成。電極與絕緣層材料之選用與製備方式為此ㄧ記憶體成功的關鍵。其中，適當材料性質的絕緣層提供ㄧ個良好的電阻變換的區域。而原子層沉積技術，為製作奈米薄膜重要技術之ㄧ，因此也廣泛的應用在製作電阻式記憶體的製程中。在本文中，將介紹目前電阻式記憶體的發展，其電阻式記憶體操作模式與機制，目前使用原子層沉積法來製備適合絕緣薄膜的材料系統，以原子層沉積技術應用於三維電阻式記憶體絕緣層，與未來應用原子層沉積技術製作電阻式記憶體元件的展望，做深入的介紹。

作者:胡智愷、林義鈞、利定東、黃智勇、林龔樑、陳建志、王慶鈞MOCVD加熱模組技術

加熱器為MOCVD設備中的關鍵零組件，本研究以大尺寸（十吋）加熱載盤為研究對象，為了使加熱載盤表面溫度分佈均勻，特以數值分析模擬之方式最佳化設計加熱器內部電熱管圖形陣列。本文首先將專利及自行設計的電熱管圖形以接觸式的型態進行熱模擬分析，接著依照模擬結果優化改良其電熱管形狀，而後將優化的電熱管再分別進行接觸式和熱輻射式之熱分析，並進行此二型式的比較，實驗中會探討加熱後載盤溫度分佈及升溫時間狀況，最後本文研究結果顯示MOCVD熱輻射式加熱器將比接觸式加熱器要優良許多。

作者:胡智愷、林義鈞、利定東、董福慶、陳建志、吳佩珊、王慶鈞IR加熱模組之模擬分析與設計

本文研究使用Design on Simulation (DOS)的概念，此方法可運用在眾多半導體設備的設計研發上，其中加熱器是半導體設備中的關鍵零組件，一個良好的加熱器設計，它需具備升降溫度速率快、加熱後盤面溫差小等特點。且加熱器在製程中扮演提供穩定熱源的重要角色。半導體加熱器依加熱溫度分大致可為低溫、中溫以及高溫三種加熱種類，本文研究的即是高溫IR加熱器，IR加熱器發熱體本身與待加熱載台呈現非接觸的型式。在本文中，發熱體種類為電熱管，其內部加熱管圖形陣列方式和載盤本身材料，將直接影響加熱後載盤表面的溫度分佈，文末，找出最佳化自行設計電熱管圖形，其碳化矽為最好的載盤材料。