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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:嚴國藝、邱建華、李俊緯、林沛鋅、王慶鈞、黃振榮、梁沐旺、吳慶輝、羅展興、龔志榮氧化鋅透明導電膜之原子層沉積製程與設備技術

本論文探討原子層沉積法製備銦、鎵摻雜之氧化鋅薄應用在氮化銦鎵發光二極體透明導電層對元件特性之影響。退火後之摻雜鎵之氧化鋅薄膜在發光波段450奈米之穿透率約為95.8 %，其電阻率約為4.6×10-4 Ω-cm。而覆蓋退火後之鎵摻雜氧化鋅薄膜之氮化銦鎵發光二極體，在順向電流20 mA下，其導通電壓約為3.5 V，而發光效率增加27.5 %。退火後之銦摻雜氧化鋅薄膜電阻率約為6×10-4 Ω-cm。而以銦摻雜氧化鋅薄膜為透明導電層之發光二極體元件，退火後，在順向電流20 mA下測量其電壓為3.26 V，發光效率增加12.5%。

作者:賴識翔、林義鈞高阻水氣薄膜封裝技術於OLED照明之應用

預估撓性OLED市場規模到2020年可達176億美元，針對可撓性有機發光二極體（organic light-emitting diode,OLED）元件最關鍵之技術在於低水氣穿透率（water vapor transmission rate, WVTR）的封裝奈米薄膜製程上。工研院機械所提出創新的薄膜封裝製程設備概念，以原子層沉積技術製作高阻水氣之奈米級薄膜，其製程溫度小於100C，且薄膜厚度小於100 nm，其水氣穿透率小於5×10-6 g/day/m2，並已成功應用於OLED元件上。