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歷史雜誌

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作者:卓廷彬、馬寧元、葉庭魁、華振宇超硬奈米複合鍍膜發展趨勢與現況

作者:王慶鈞、黃智勇、陳建志、簡榮楨、陳志勇、曾力瑋、王京璽、劉耀先MOCVD反應室內基板旋轉對流場之影響研究

本研究分析並探討MOCVD反應腔體內的流場分佈，試驗不同的基板轉速和流量變化對速度場分佈之影響，結果顯示旋轉效應會影響氣體的速度及均勻度，此研究結果將可提供MOCVD製程提升磊晶效果之參考。

作者:林冠宇、杜陳忠矽薄膜太陽電池鍍膜設備之電漿放射光譜分析儀監控簡介

本研究發展一種用於微晶矽薄膜之調控電漿技術，並運用此技術輔助薄膜的沉積，且突破微晶矽薄膜不易於高沉積速率成長的瓶頸；此技術主要具有電漿製程監控的裝置，係應用光學放射光譜儀（OES）偵測電漿的成分，並即時偵測影響微晶矽薄膜沉積製程的H2與SiH4被電漿解離之光譜比值，且由比例積分控制器（PI Controller）法則即時回授控制被電漿解離的活性物種Hα及SiH*電漿光譜比值，且在高的沉積速率下，仍可即時掌控最佳微晶矽薄膜沉積的品質，進而提高微晶矽薄膜製程於長時間大量生產的穩定性。

作者:陳泰宏、莊傳勝、王登彥、王儀龍、林明達Parylene CVD反應器之氣流場模擬

有機阻氣材料聚對二甲苯（Parylene）之薄膜均勻度對於阻氣效果扮演一關鍵角色。本文即以計算流體力學（Computational Fluid Dynamics, CFD）模擬Parylene化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）製程腔體之氣流場，以非結構網格建立模型，其中討論製程腔體中加入擋板（Shelter）及進排氣端位置對於氣流場均勻度之影響。由結果得知，於進排氣端加入擋板可以有效地改善腔體氣流場均勻度，主要原因在於擋板能使進排氣端之截面積增加，使兩側皆有一大面積緩衝區域抑制進排氣之擴散效應而達到流場均勻化；側端進氣與排氣之設計優於側端進氣與下端排氣設計，原因在於進排氣端位於同一截面較能減低垂直方向擴散所造成均勻度不佳之效應。應用數值模擬於腔體設計可以有效減少開發時間，進而提升產品競爭力。

作者:劉耀先、彭冠中、黃智勇CVD腔體高溫流場影響研究