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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:李建霖、王亘黼、蔡坤諭、錢盛偉、蔡佳勳、董福慶、王慶鈞氦離子束檢測技術簡介及其於高深寬比結構鍍膜製程研發之應用

目前的掃描電子顯微鏡技術存在著一些性能上的限制。在奈米等級結構上，影像解析度通常受限於樣品相互作用的體積，而不是實際的聚焦點大小。使用較高能量電子束或較大質量的粒子束源雖然可以減少散射的影響，但隨之而來的副作用，如更大的樣品相互作用體積及大量分散的粒子源能量使影像解析度仍舊無法提升。近年來，氣體場離子源研究的進展使得以輕惰性氣體離子作為離子源的顯微設備得以實現，有助於奈米等級結構的檢測及相關製程研發。本文將針對氦離子束檢測技術及高深寬比結構鍍膜技術進行介紹。

作者:陳冠州、王慶鈞氣體噴灑模組之可靠度工程技術

真空CVD鍍膜為光電半導體之重要關鍵製程，其設備中之氣體噴灑模組更是為其關鍵零組件，攸關腔體內製程氣體之層流均佈而使薄膜能均勻沉積，主導掌控鍍膜的品質與良率。本文探討氣體噴灑模組於產品設計、製造與組裝的過程中，導入可靠度工程技術，找出可能發生故障的原因。透過故障分析手法提升氣體噴灑模組的可靠度，更進一步探討困難的萬支細管真空焊接問題，藉此可靠度的工程技術增加國產MOCVD關鍵零組件的附加價值與國際競爭力，達到國際先進高階設備/零組件的技術水準。

作者:簡士凱、陳信助、蔡國騰、王雍行、李閔凱雷射金屬沉積直接成型螺桿技術

雷射金屬沉積(laser metal deposition, LMD)為一種基於雷射應用的積層製造方式，可廣泛應用於金屬品製造、金屬披覆、高價值金屬品重建及功能性零組件製造。而雷射金屬沉積製程包含各種複雜參數，如雷射能量、光斑直徑、披覆路徑方式、粉材供粉量、雷射移動速度及氣體流量。然而這些製程參數往往會因材料、雷射金屬沉積設備與操作環境的不同而有所差異，仍需面臨材料性質與製造精度的挑戰。因此需要透過加法與減法加工之多功能複合製程方法，並整合CAD/CAM軟體以滿足應用與製造需求。本文將針對雷射金屬沉積直接成型螺桿製程中，所使用的加值型CAD/CAM客製化系統、沉積製程研究及其應用進行介紹。

作者:葉錦清2017高科技設備產業回顧與展望

作者:杜陳忠、梁沐旺矽薄膜太陽能電池之矽鍍膜設備技術發展近況

作者:黃建龍、林昭憲、高于迦、莊道良、簡玉珠金屬抗菌表面處理技術

作者:卓廷彬、馬寧元、葉庭魁、華振宇超硬奈米複合鍍膜發展趨勢與現況

作者:馬寧元、李新中鋼鐵材料的表面改質技術

作者:吳士傑、趙偉克、周毓麒雷射附加製造技術的發展現況

近二十年來，RP快速原型技術可以視為製造業的一場寧靜革命，最初以少量多樣式快速提供設計原型而站穩腳步，經過前端CAD方法不斷的改進，新的材料和加工機具紛紛出現，現今產量及品質已非往悉可比，所以業者和研究人員也將之改名為附加製造以凸顯其進步。雷射的進步也是一日千里，功率、價格和精準度提供了製造業一個極佳的加工機具，雷射附加製造的前景可以說是方興未艾。本文即簡單介紹雷射附加製造現況。

作者:王慶鈞、黃智勇、陳建志、簡榮楨、陳志勇、曾力瑋、王京璽、劉耀先MOCVD反應室內基板旋轉對流場之影響研究

本研究分析並探討MOCVD反應腔體內的流場分佈，試驗不同的基板轉速和流量變化對速度場分佈之影響，結果顯示旋轉效應會影響氣體的速度及均勻度，此研究結果將可提供MOCVD製程提升磊晶效果之參考。

作者:董福慶、吳佩珊、金崇碩、張翼、黃金花超高頻PECVD成長微晶矽薄膜

本文乃就超高頻PECVD成長微晶矽薄膜量測分析撰文。微晶矽薄膜主要是用矽甲烷（SiH4）與氫氣（H2）的混合，經由超高頻40.68MHz激發電漿解離進行薄膜沉積。在產業生產需求上，降低生產成本為主要目標。太陽電池為求降低更大的成本，則較高的模組效率與鍍膜速率是必需的。本質層微晶矽薄膜的結構受到製程參數極大的影響，諸如電漿功率密度、基板溫度、氣體流量比例與沉積時的真空壓力。調整這些鍍膜沉積的參數，以研究其沉積的薄膜所對應的各種電性與微結構性質，從其中找出最佳沉積條件以應用於高效率矽薄膜太陽電池。

作者:董福慶、吳佩珊、趙修武、林重勳、魏大欽高密度電漿源氣流場模擬分析

以電漿輔助化學氣相沉積設備進行低溫微晶矽薄膜的成長，在太陽能產業中引起極大的注意，特別是在製造矽薄膜太陽電池上。藉由矽甲烷（SiH4）與氫氣（H2）混合後，經由氬電漿解離反應形成微晶矽薄膜做一模擬先導研究。建立電漿模型以模擬分析在真空腔體中的製程氣體與電漿之化學反應。從真空腔體中氣相物種的運動行為了解製程參數對各種不同物種，在反應過程中生成與消耗的影響，此模型導入17個物種，37個有關電子、離子與自由基及中性物種等化學反應式來計算。所提出的二維模型之模擬分析可獲得在基板上成膜時，靠近基板的關鍵物種之重要資訊，也同時說明控制基板上成膜的主要反應機制。