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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:劉志宏、沈家志、魏大欽以實驗設計法探討電漿參數對其製備氟碳膜性質之影響

氟化非晶碳膜(Fluorinated amorphous carbon films)因其膜材特性具化學穩定性、低表面能、低折射率，以及良好之電熱性質而廣泛運用於產業界；本文以電漿輔助化學氣相沉積法製備氟碳膜，藉以實驗設計法與其膜材特性分析，了解製程參數與膜材特性間關係，並建立其電漿鍍膜機制。研究發現，運用實驗設計法有系統之探討CH2F2/CF4電漿製備氟碳膜，CF4流量及沉積溫度為影響成膜速率之最顯著因子；於適當CF4流量、低溫及高電漿功率參數中，可獲得高沉積速率製程；高F/C比膜材其薄膜之熱穩定性表現較差。然而，熱穩定性可由沉積溫度提高及熱處理步驟進行改善。

作者:王亘黼、林義鈞電漿製程之源頭減碳與模擬分析技術應用

隨著全球氣候變遷議題益受關注，各國陸續提出淨零碳排政策，並透過碳稅、碳足跡揭露等方
式加速產業邁向低碳製造。電子產業廣泛應用之電漿製程，包含表面清潔、蝕刻皆普遍使用四氟化碳
(Tetrafluoromethane, CF4) 作為氣體源，然而其具備高全球暖化潛勢 (Global Warming Potential, GWP) 特性，
成為相關產業溫室氣體排放的來源之一。相較於製程尾氣處理設備所採取之汙染物淨化處理防制模式，若
能從製程源頭導入低暖化潛勢替代氣體，並透過模擬分析技術與製程參數優化以保持原有製程效能，便具
備產業減碳效益。本文以電漿清潔製程為探討，選定低暖化潛勢之替代氣體後，先建立電漿製程腔體三維
幾何模型，以工研院機械所建立之氣流場模擬技術分析CF4 和低GWP 值替代氣體於腔體內部之流場分布
與基板區域氣流均勻度，確認替代氣體和CF4 氣流場分布相近，再透過電漿設備進行製程實驗參數優化，
驗證替代氣體實際應用可行性，經計算該製程碳排當量降低21.8%，顯示源頭減碳策略具有實質效益，可
做為未來源頭減碳技術之參考依據。