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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:張芯語、周府隆、黃建融、林于中、李閔凱雷射製程技術於高頻元件之進展

為滿足未來高品質通訊及手持式裝置微小化、高效能需求，提升積體電路晶片之性能，更可減少其面積，並維持其低消耗功率，因此三維積體電路結構（3D-IC）是一較可靠之解決方法。為因應3D-IC之需求，玻璃穿孔（Through Glass Via, TGV）製程較現有矽穿孔（Through Silicon Via, TSV）製程具有更大優勢。其玻璃表面平整，並具有良好熱穩定性和電、化學穩定性。在TGVs製程中，玻璃載板將經雷射改質，以提高後續製程中之材料選擇比，方可有效形成高深寬比TGVs孔洞，此外更可搭配雷射成型光引擎模組提升整體高頻元件製程產速。

作者:許劭聿、凡恩森、呂曼寧、楊舒閔、高端環、陳玠錡、黃萌祺、張佑祥先進封裝技術與異質整合發展趨勢分析：以TSV、TGV為例

隨著摩爾定律逐漸放緩，異質整合已成為提升系統效能與功能密度的關鍵技術。先進封裝技術不僅是晶片尺寸縮小的延伸，更是異質系統整合的核心支撐。本文探討了二種具代表性的先進封裝技術：穿矽通孔 (Through Silicon Via ,TSV)以及玻璃穿孔 (Through Glass Via ,TGV)，分析其技術原理、優缺點與應用場景，並比較其在成本、效能與可擴展性上的異同。此外，文章特別針對玻璃穿孔 (Through Glass Via ,TGV) 製程挑戰進行深入分析，並介紹工研院開發之創新濕式製程，有效解決物理氣相沉積 (Physical vapor deposition，PVD) 於高深寬比孔洞中附著與填充不良問題，為未來異質整合封裝提供具備實用性與可量產潛力的解決方案。

作者:李建霖、王亘黼、蔡坤諭、錢盛偉、蔡佳勳、董福慶、王慶鈞氦離子束檢測技術簡介及其於高深寬比結構鍍膜製程研發之應用

目前的掃描電子顯微鏡技術存在著一些性能上的限制。在奈米等級結構上，影像解析度通常受限於樣品相互作用的體積，而不是實際的聚焦點大小。使用較高能量電子束或較大質量的粒子束源雖然可以減少散射的影響，但隨之而來的副作用，如更大的樣品相互作用體積及大量分散的粒子源能量使影像解析度仍舊無法提升。近年來，氣體場離子源研究的進展使得以輕惰性氣體離子作為離子源的顯微設備得以實現，有助於奈米等級結構的檢測及相關製程研發。本文將針對氦離子束檢測技術及高深寬比結構鍍膜技術進行介紹。