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依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋,年份輸入範例202406
作者:陳冠州、黃智勇、王慶鈞、李昌駿、劉彥禹、張詠瑄
晶圓翹曲之應力分析技術
矽晶圓在加工的過程中,會因為各層材料之間機械性質的不匹配,而產生撓曲的現象。其中,氮化矽薄膜在半導體產業中有許多重要應用,其薄膜在製造時,受到製程溫度與壓力參數等的影響,造成晶圓翹曲的發生,將對於要求高平坦度的後續製程產生不良影響,因此,本研究欲透過模擬預測該薄膜晶圓翹曲量及內應力。根據有限元素模擬結果和實驗量測數據,氮化矽薄膜翹曲後產生的內應力,在兩者之間僅有4.2%的誤差。故藉由本研究之模擬方法,即可快速預測出實際加工之前氮化矽薄膜的本質應力、薄膜成長後的內應力與翹曲量。
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