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依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:賴識翔、董福慶、林義鈞、鄭皓蓬多模式薄膜沉積製程設備模組技術於OLED照明之應用

可撓性OLED元件最關鍵的製程技術在於具低水氣穿透率(WVTR)之封裝薄膜，工研院機械所已獲得「多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法」之專利，在單一腔體內以原子層沉積技術與電漿輔助化學沉積技術製作高阻水氣薄膜，其薄膜特性達到OLED封裝高阻水氣之嚴苛要求( WVTR 小於 5 x 10-6 g/m2 /day)，此專利技術可應用在現今先進之OLED顯示與照明產業的薄膜封裝，大幅降低封裝成本與提高元件壽命及品質。

作者:賴識翔、董福慶、林義鈞、鄭皓蓬應用於OLED照明之薄膜沉積設備模組技術

OLED照明是一種平面的光源，亮度與色溫具可調且具高演色性，但OLED元件仍有許多需改進的地方，成本過高便是其中之一，因此OLED關鍵製程設備之開發是刻不容緩的。工研院機械所提出創新概念之面型蒸鍍源技術，成功地開發出面型蒸鍍驗證平台設備。以此新穎面型蒸鍍源設備技術成功驗證膜厚不均勻度＜± 5 %、材料利用率可達70 %及製作出高演色指數＞ 80之OLED元件等。此外，工研院機械所亦提出創新的薄膜封裝製程設備概念，以原子層沉積技術製作高阻水氣之奈米級薄膜，其製程溫度小於100℃，且薄膜厚度小於100 nm，其水氣穿透率小於5×10-6 g/m2/day，並已成功應用於OLED元件上。

作者:王慶鈞、王瑞豪、連水養、陳家富透明導電薄膜之應用概論

透明導電膜定義上是指在可見光波長在380-760 nm範圍內，具光穿透率80％以上且比電阻值1´10-3 W•cm等特性的薄膜材料。透明導電電極主要可分為兩種，一種是金屬薄膜；另一種就是現在光電產品使用的透明導電氧化物（Transparent conductive oxide, TCO）。由於金屬本身就是一種良導體而不具有透光性。但金屬厚度為約100Å以下（Å = 1×10-10m）時，金屬薄膜即可以呈透明性，但是相對愈易形成不連續的薄膜，導致其導電率（conductivity）因而下降，所以不適作為透明電極之用。反之，透明導電氧化物（目前商用約8000Å）在可見光區域（約380-760 nm）有著高透光性且具適當的導電性，因此廣泛地被應用在商用光電產品中而成為高應用性的透明導電電極材枓。

作者:馬寧元、許恭銘、邱松茂、張凱傑、黃建龍有機發光二極體（OLED）顯示器之製造方法

本文概述有機發光二極體（OLED）顯示器之基本製造步驟與材料。有機發光二極體顯示器之製方法包括TFT背板製造、OLED 之加工與模組組裝。顯示器具高精密度之製造技術與潔凈度，清洗製程是高產率之重要因素。OLED顯示器之清洗方法包括物理方法、化學方法與乾式清洗法。於OLED之加工包括電洞輸送層、發光層與電子輸送層之有機層蒸鍍、陰極蒸鍍、功能性測試與封裝，而於模組之組裝包括基材切割、光學層蒸鍍、電極與封裝功能與壽命測試。OLED顯示器仍須經持續性之時間研發以開發技術才能達到量產地步。

作者:王亘黼、董福慶、林士欽、田春林脈衝離散注入法及原子層沉積技術之半導體薄膜製程應用

作者:王亘黼、黃智勇電漿薄膜沉積預測與應力分析模組技術

作者:陳柏宇薄膜應力與光彈應力智慧檢測技術

現今許多光學元件或高精密儀器皆需做鍍膜處理，然而薄膜應力過大時，可能會使得元件產生劇烈變形而導致結構損壞，因而薄膜應力估算非常重要。對於薄膜應力之量測，通常為利用Stoney方程式做計算，使用該方程式時，僅需量測基材於鍍膜前後之表面曲率，最後再將曲率代入該方程式中即可計算求得薄膜應力，因此選用適當的光學量測技術非常重要，故本文將針對常用之光學量測技術進行介紹。另外本文同時介紹光彈應力技術，而此技術為可直接獲得材料內部之應力，因此此方法皆可做為檢測薄膜應力之技術，同時也會分享實際應力量測之案例。