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依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋,年份輸入範例202406
作者:陳邦旭、王慶鈞
原子層沉積技術於電阻式記憶體元件之應用
近年來,在新型非揮發性記憶體的研究中,電阻式記憶體被視為極具潛力的候選元件。電阻式記憶體的架構為ㄧ電極/絕緣層/電極所組成。電極與絕緣層材料之選用與製備方式為此ㄧ記憶體成功的關鍵。其中,適當材料性質的絕緣層提供ㄧ個良好的電阻變換的區域。而原子層沉積技術,為製作奈米薄膜重要技術之ㄧ,因此也廣泛的應用在製作電阻式記憶體的製程中。在本文中,將介紹目前電阻式記憶體的發展,其電阻式記憶體操作模式與機制,目前使用原子層沉積法來製備適合絕緣薄膜的材料系統,以原子層沉積技術應用於三維電阻式記憶體絕緣層,與未來應用原子層沉積技術製作電阻式記憶體元件的展望,做深入的介紹。
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