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依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:黃萌祺、高端環3D IC高深寬比銅電鑄製程技術

3D封裝整合能達到更小之封裝尺寸、更小的能源消耗與更高之傳輸速率，3D封裝技術相較於傳統的二維導線連接技術，具有更短之傳輸距離與更小之尺寸，這是因為IC晶片能直接貫穿連接，而不需其他連接線路，故被認為是未來封裝主流技術，而銅填孔於矽穿孔中當作連接層為重要之技術，其深寬比必須高達10，故本論文將探討高深寬比銅填孔製程。