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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:許哲誠、林龔樑、蔡豐羽原子層沉積鍍膜應用技術

透明導電薄膜（Transparent Conductive Film, TCF）為太陽能電池等光電元件不可或缺的一部分。目前元件的發展已逐步由平面結構邁向具備高深寬比與高表面積的奈米結構，但傳統的透明導電薄膜製程技術並無法於3D的結構上均勻鍍膜。原子層沉積技術（atomic layer deposition, ALD）具有高表面覆蓋性，可於奈米結構上均勻鍍膜，並可精準地控制膜厚及薄膜組成。此外，其低溫製程、低薄膜缺陷密度等優點，使其於可撓式光電元件的開發上極具發展潛力。

作者:陳志明、張瀛方、偕睿仁大氣電漿技術在透明導電高分子膜圖案化之應用

根據Nanomarkets（2008）的研究報告[1]指出，到2015年氧化銦錫（Indium Tin Oxide, ITO）的使用比例將會下降至45 %，並由導電高分子（18 %）、奈米碳管（15 %）與奈米材料（9 %）等材料取代。除了銦元素蘊藏量有限及成本等因素考量外，最重要的是可撓性的產品需求趨勢使然。圖案化是任何一種材料應用於投射式電容觸控元件的必要關鍵製程，本文將針對導電高分子膜圖案化技術作介紹。