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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:季宇文、胡恩蘭、黃昆平大面積石墨烯電極成長技術

機械所石墨烯團隊致力於開發高品質石墨烯的儲能電極，透過開發大面積電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）設備成長: 使用 915 MHz 微波電漿火炬機台（915 MHz Microwave Plasma Torch, 915MHz MPT），可有效成長出面積達15 cm X 15 cm 的石墨烯電極，其品質優異（2D/G >0.85）且均勻性可達95% 以上。915MHz MPT 具有高密度電漿、成長快速及系統穩定等優點，適合用來成長石墨烯儲能電殛，本團隊將石墨烯電極應用到有機相的超級電容上，經測試其工作電壓最高可達4.2V，明顯優於商用活性碳2.8V 之系統。

作者:陳冠州、黃智勇、王慶鈞、李昌駿、劉彥禹、張詠瑄晶圓翹曲之應力分析技術

矽晶圓在加工的過程中，會因為各層材料之間機械性質的不匹配，而產生撓曲的現象。其中，氮化矽薄膜在半導體產業中有許多重要應用，其薄膜在製造時，受到製程溫度與壓力參數等的影響，造成晶圓翹曲的發生，將對於要求高平坦度的後續製程產生不良影響，因此，本研究欲透過模擬預測該薄膜晶圓翹曲量及內應力。根據有限元素模擬結果和實驗量測數據，氮化矽薄膜翹曲後產生的內應力，在兩者之間僅有4.2%的誤差。故藉由本研究之模擬方法，即可快速預測出實際加工之前氮化矽薄膜的本質應力、薄膜成長後的內應力與翹曲量。

作者:郭明村矽薄膜型太陽電池模組量產技術現況

作者:黃昆平、賴致瑋、張志振、邱博文電子迴旋共振化學氣相沈積法成長石墨烯及其後處理

石墨烯（Graphene）在低溫實驗中，載子遷移率可達到200000 cm2/V‧s，是現今矽材料的千倍以上，具穩定的化性、機械強度、低電阻等特色，不管用在內部連接（interconnect）、電晶體（transistor）、液晶顯示器透明電極等，非常適合半導體技術及應用。目前以真空方式ECR CVD成長出來的石墨烯是屬於損傷石墨烯（damaged graphene），缺陷甚多必須佐以表面熱處理來改善品質。目前有測試高溫退火、氬離子電漿及微波退火方式進行石墨烯之改質。其中以（a）微波退火以及（b）氬離子電漿加退火可明顯地降低石墨烯的片電阻值。

作者:林士欽、黃智勇、張家豪、李侃峰、江銘通、梁沐旺、王慶鈞ZnO薄膜沉積之前驅物氣化與擴散模組技術

本文主要是介紹薄膜太陽電池ZnO薄膜製程之氣體擴散模組（showerhead）及前驅物氣化裝置之設計與模擬，探討結構設計對氣體流場分佈情形之影響。而模擬分析所得數據結果不僅可以作為氣體擴散裝置及前驅物氣化設計的參考，亦可提供將來製程實驗結果之佐證依據，以及作為後續設備調整修正或改良的可行方向，以擴展氣體供應系統的實用性及產品化後之商用價值。

作者:陳俊廷、劉代山低應力複合阻障薄膜封裝技術與應用

本研究利用感應耦合電漿化學氣相沉積系統，在可撓式塑膠基板上製備具低應力之有機矽基/無機氧化矽氣體阻障層薄膜，並利用彎曲測試儀器探討氣體阻障層薄膜於不同撓曲曲率及彎曲次數後之可靠度。研究結果顯示，在聚乙烯對苯二甲酸酯可撓式塑膠基板（PET）上所沉積之低應力氣體阻障層薄膜，在大於撓曲曲率半徑20 mm時，其水氣阻障能力並無顯著劣化的現象。當多對氣體阻障層薄膜於撓曲測試後，其多對有機矽基/氧化矽薄膜結構仍然維持良好的水氣阻障能力，顯示出此多層結構在可撓式基板上具有優異之撓曲可靠性。最後，將高阻障性能之有機矽基/氧化矽薄膜結構應用於有機發光二極體的封裝製程上，結果顯示出此封裝結構能有效地提升有機發光二極體壽命。