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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:劉俊葳、張高德、翁志強、陳稺榤、李佑昇、伍必霈高精度光學透鏡電漿拋光技術

本研究在傳統拋光製程後利用微能量束作形狀修整技術，以達到高精度品質之玻璃透鏡。大氣電漿噴嘴設計為以RF射頻電源驅動噴流，並藉由內外雙套管的設計，於內管內導入電漿製程氣體，外管導入限制電漿束尺寸的惰性氣體，以此調控內外氣體種類以及流量，實現單一噴嘴以氣流侷限方式控制電漿中央區的範圍以調控能量束口徑狀態。本實驗同時採用光學放射光譜儀分析電漿物種隨氣體比例以及功率等參數的變化，了解電漿反應與表面狀態、蝕刻速率的關係，以獲得一最佳的拋光參數。由實驗結果得知玻璃透鏡表面之蝕刻率可控制在50 nm/min至450 nm/min，表面粗糙度可達< 5 nm。

作者:李昇亮真空電漿設備之電控系統介紹

作者:郭明村矽薄膜型太陽電池模組量產技術現況

作者:蔣啟明、羅萬中、林昭憲、楊景富、許恭銘常壓電漿設備技術

作者:林博鏞大氣電漿在玻璃表面清潔製程之應用

作者:林東穎、柯明賢、陳輝達、張均豪大面積電感式耦合電漿源與專利分析

作者:李昇亮電漿輔助原子層鍍膜設備電控系統介紹

本文以本所研發PEALD設備之電控系統當範例作說明，內容包含有周邊元件選用、電控系統軟體及硬體規劃等，最後將會介紹本系統所規劃之人機介面及操作方法。

作者:杜陳忠、林冠宇、梁沐旺電漿光譜監控之微晶矽薄膜沉積研究

在高效率矽薄膜太陽電池的微晶矽薄膜沉積過程中，電漿中活性物種（例如SiHx, H）的濃度變化會影響製程之穩定性，本文以即時電漿調變技術控制活性物種濃度，探討應用電漿光譜分析儀（OES）於沉積微晶矽薄膜製程的穩定性研究。

從X光繞射干涉儀（X-Ray Diffraction, XRD）以及掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope, SEM）分析後，顯示經由適當的調控活性物種電漿光譜比值（SiH*/Hα），可以控制微晶矽薄膜的組織微結構；而且應用在多次相同沉積製程時，從拉曼光譜儀（Raman Spectrometer）分析薄膜結晶率的結果顯示，微晶矽薄膜結晶率的變化率約5%左右；因此從本研究結果顯示應用即時電漿調變技術於大量生產微晶矽薄膜時，有助於獲得長時間的電漿鍍膜製程穩定性。

作者:楊國煇，劉志宏，張加強、陳錦山大氣壓電漿技術於太陽能電池之應用

電漿技術發展至今已數十載，由於近十年來半導體工業的蓬勃發展，使得電漿技術更趨成熟，並且已成為工業及民生應用上如薄膜科技、表面處理、顯示器以及醫學美容上等不可或缺的技術應用。本文介紹電漿技術於太陽能電池中主要膜層之技術應用與原理介紹，並針對大氣壓電漿於化學氣相沉積以及高真空之物理氣相沉積機制之優劣說明。大氣壓電漿於太陽能電池應用的部份，分別介紹矽基太陽能電池之表面粗化、抗反射膜以及透明導電膜之製備與應用。最後，亦概要說明大氣壓電漿表面改質技術之議題與未來展望。

作者:鄭明憲應用於大氣電漿之高壓電源研製

軟板表面清潔技術一直是軟性電子產品生產中主導良率重要之環節，現有軟板清潔製程主要採用電漿清潔製程設備，但真空電漿設備成本昂貴，因此目前技術開發多朝大氣電漿技術邁進。大氣電漿設備其關鍵為高壓電源之開發，本研究利用換流器相移技術來進行功率控制，換流器操作頻率為28 kHz ~ 40 kHz間，並製作一電壓可達13.5 kV之高壓變壓器，其鐵心採用並聯的方式，並以多級串聯的方式升壓，應用於6 kW高功率電源上，效率高達96 %，本文將針對高壓電源關鍵技術之操作原理和分析做一詳盡介紹。

作者:陳俊廷、劉代山低應力複合阻障薄膜封裝技術與應用

本研究利用感應耦合電漿化學氣相沉積系統，在可撓式塑膠基板上製備具低應力之有機矽基/無機氧化矽氣體阻障層薄膜，並利用彎曲測試儀器探討氣體阻障層薄膜於不同撓曲曲率及彎曲次數後之可靠度。研究結果顯示，在聚乙烯對苯二甲酸酯可撓式塑膠基板（PET）上所沉積之低應力氣體阻障層薄膜，在大於撓曲曲率半徑20 mm時，其水氣阻障能力並無顯著劣化的現象。當多對氣體阻障層薄膜於撓曲測試後，其多對有機矽基/氧化矽薄膜結構仍然維持良好的水氣阻障能力，顯示出此多層結構在可撓式基板上具有優異之撓曲可靠性。最後，將高阻障性能之有機矽基/氧化矽薄膜結構應用於有機發光二極體的封裝製程上，結果顯示出此封裝結構能有效地提升有機發光二極體壽命。

作者:吳勝斌、楊國煇、劉志宏、張加強大氣壓電漿於綠色建材之運用

光電、太陽能、半導體等電子產業，已成了台灣最重要的經濟工業發展主軸。生產這些電子產品，一個重要的技術即是各式功能性薄膜製程及設備。其中，電漿設備技術更是廣泛地應用於各薄膜製程；然而，多數電漿技術採用於真空環境下進行。真空腔體尺寸會限制欲處理之工件大小，而維護真空腔體製程也間接提升產品製造成本。

大氣壓電漿顧名思義即是指於一大氣壓或接近一大氣壓之狀態下所產生的電漿。大氣壓電漿技術不受真空腔體的限制，可導入連續式生產程序，這些技術特點皆可有效地降低面板或太陽能等須大面積生產之製造成本。本文將介紹大氣壓電漿技術（Atmospheric-pressure Plasma Technology）及其應用。內容主要針對近幾年來工研院大氣壓電漿技術在光電薄膜上的發展方向，包括TFT面板、觸控面板、或薄膜太陽能電池部分的應用，作一個整合性的技術進程概論。