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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:林義暐、鄭貴元、呂文鎔、丁嘉仁、張高德碳化矽裂片技術淺談與其產業應用

根據IHS（Information Handling Services）Markit的預測，全球功率半導體市場規模將以年增長率4.1%的速度成長。其中，以目前正蓬勃發展的第三代半導體材料碳化矽（Silicon Carbide, SiC）為例，此材料具備高頻、高功率、耐高溫且耐高壓的電器特性，預期未來會更廣泛的應用在電動車、充電樁、太陽能、離岸風電、基地台與5G等[1]。硬度方面，SiC僅次於鑽石與碳化硼，因此在切割、研磨時也較為困難，並且晶圓尺寸越大越棘手，SiC晶錠切割為晶圓的過程即唯一重要的製程技術，如何透過快速、有效率的技術進行晶錠切割，許多公司都投入資源進行相關的技術研發。本文將針對近年來各種主要切割技術進行討論與分析，提供讀者在進入晶錠切割技術領域的參考。

作者:張高德繞射式深度感測元件之基材熱效應模擬分析

本研究主要利用繞射光學編碼、熱形變模擬及深度計算模型評估在不同材料下，由溫度所引起的深度計算誤差。由於溫度的上升使得繞射元件上的微結構形變，進而造成繞射光點的位移，對應的位移量造成深度計算誤差。由模擬結果可看到熔融石英（Fused silica）在溫度為60度時，其位深度誤差0.007 mm遠低於紅外光相機的成像解析度（0.2 mm），對比壓克力（Acrylic）材料則為0.885 mm，由此可見，在針對高精度的量測需求下，熔融石英材料為基礎的繞射元件，為目前最佳的解決方案。