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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:李侃峰、黃智勇、林冠宇、吳興華、黃建福淺談大面域濺鍍技術

作者:林冠宇、葉羿辰、羅順遠、孫湘平、林振達G3.5枚葉式矽薄膜太陽電池鍍膜設備之電控系統簡介

作者:林冠宇、杜陳忠矽薄膜太陽電池鍍膜設備之電漿放射光譜分析儀監控簡介

本研究發展一種用於微晶矽薄膜之調控電漿技術，並運用此技術輔助薄膜的沉積，且突破微晶矽薄膜不易於高沉積速率成長的瓶頸；此技術主要具有電漿製程監控的裝置，係應用光學放射光譜儀（OES）偵測電漿的成分，並即時偵測影響微晶矽薄膜沉積製程的H2與SiH4被電漿解離之光譜比值，且由比例積分控制器（PI Controller）法則即時回授控制被電漿解離的活性物種Hα及SiH*電漿光譜比值，且在高的沉積速率下，仍可即時掌控最佳微晶矽薄膜沉積的品質，進而提高微晶矽薄膜製程於長時間大量生產的穩定性。

作者:杜陳忠、林冠宇、梁沐旺電漿光譜監控之微晶矽薄膜沉積研究

在高效率矽薄膜太陽電池的微晶矽薄膜沉積過程中，電漿中活性物種（例如SiHx, H）的濃度變化會影響製程之穩定性，本文以即時電漿調變技術控制活性物種濃度，探討應用電漿光譜分析儀（OES）於沉積微晶矽薄膜製程的穩定性研究。

從X光繞射干涉儀（X-Ray Diffraction, XRD）以及掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope, SEM）分析後，顯示經由適當的調控活性物種電漿光譜比值（SiH*/Hα），可以控制微晶矽薄膜的組織微結構；而且應用在多次相同沉積製程時，從拉曼光譜儀（Raman Spectrometer）分析薄膜結晶率的結果顯示，微晶矽薄膜結晶率的變化率約5%左右；因此從本研究結果顯示應用即時電漿調變技術於大量生產微晶矽薄膜時，有助於獲得長時間的電漿鍍膜製程穩定性。

作者:李侃峰、林冠宇、張家豪AZO薄膜濺鍍技術與應用

透明導電氧化物薄膜的電性與光學性質是顯示器元件不可缺少之應用需求，更直接影響太陽電池的發電效率。本文將介紹太陽電池廣泛使用的磁控濺鍍沉積AZO薄膜技術，與近期發展的產品應用，並比較各種大面積濺鍍AZO薄膜的優缺點。

作者:張家豪、林士欽、李侃峰、林冠宇大面積電容耦合射頻電漿源模組技術

本文討論電容耦合射頻電漿源，在增加製程面積至米平方等級（scaling up to meter square）以及增加射頻功率頻率至超高頻波段（very high frequency ,VHF）時，由於電磁波效應所產生的之電漿/製程不均勻問題。各章節將依序討論超高頻電漿功率的使用、駐波效應（standing wave effect）、駐波效應克服技術、趨膚效應（skin effect）以及邊緣效應（edge effect）。

作者:李侃峰、張家豪、林冠宇濺鍍製程設備應用技術

濺鍍技術廣泛應用於薄膜製程，本文將介紹使用平面靶材、圓柱靶材與移動磁極的磁控濺鍍技術，並比較這三種型態靶材的利用率。

作者:林冠宇、張家豪、李侃峰、胡家睿電漿製程設備之電控系統技術

目前材料表面改質或清潔技術多為濕式化學或真空製程，在環保及設備成本上為其主要議題；工研院以自有常壓電漿處理模組專利及製程自動化能力，結合疏水藥劑建構保護玻璃抗污技術，主要導入市場為材料表面改質、清潔及鍍膜產業應用，其設備預期可減少1/3以上之藥劑使用，對環境更加友善。

作者:胡家睿、梁金興、林冠宇大氣電漿之電漿源設計介紹

隨著台灣半導體產業的蓬勃發展與其製程相關之電漿技術也成為越來越不可或缺的腳色，產業競爭的情況下整體製程會往單位面積下高密度產出以及高能源使用效率的方向來進行提升，因此越來越多研究轉向常壓下可執行之電漿加工，近年來大氣電漿的技術突破使得表面加工變得更加靈活，依據不同的加工條件、加工效果而衍生出各式不同之電漿源之設計，本文在此將對目前常見的幾種大氣電漿源做其運作機制之解析，文中也將提出一種新式旋風型電漿源之設計。

作者:林哲蔚、林冠宇、劉志宏、周大鑫常壓電漿疏水抗污技術

觸控面板已廣泛運用於各產業，在其整合製程及觸控面板關鍵零組套件中，除感測元件外，保護玻璃（cover-glass）亦為相當重要的組件，也考量其應用面需具備疏水、抗污及耐磨耗之功能特性。目前材料表面改質或清潔技術多為濕式化學或真空製程，在環保及設備成本多限制了產業應用；工研院機械所以自有常壓電漿處理模組專利及關鍵製程自動化能力，結合疏水藥劑建構保護玻璃抗污量產技術；其主要導入市場為材料表面改質、清潔與鍍膜產業應用，所建構之設備將可減少30%以上之藥劑使用，對環境更加友善。

作者:林冠宇、呂政倫、劉志宏蛇腹式電漿診斷分析系統

本文針對所設計之蛇腹式電漿診斷分析系統進行實驗量測分析與驗證及電漿特性參數驗證，協助國內設備業者縮短整機開發驗證時程（3小時→1小時），並藉由全面域量測技術（13點 @12吋晶圓），來加速設備驗證電漿密度（> 94 % @12吋晶圓），本系統未來將有效解決設備空間限制因素，無法快速驗證電漿特性之問題，並提供國內設備業者進行全面域量測技術。

作者:林冠宇、莊聰暉、陳冠州、陳家銘、劉志宏IC載板電漿設備之電極模組設計與軟體開發