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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:黃智勇、林義鈞、王慶鈞CVD磊晶物理模型系統分析技術

CyberEpi軟體是一套使用CVD磊晶物理模型分析的系統，CyberEpi軟體套件包括五個主要模組：SimEpi，FlowEpi，OptiEpi，LibEpi和OptiEpi Plus。使用者可以快速驗證磊晶流場與化學反應（SimEpi）耦合模擬效果，並透過創新的流場可視化平台（FlowEpi）和製程參數最佳化（OptiEpi）的精確模型校準。CyberEpi可以作為MOCVD的數位雙向系統，它包括高級專業人員產生的製程累積資料庫（LibEpi）。開發友善資料庫介面數系統，可為那些缺乏基礎多重物理學複雜知識的人們提供了便利。此軟體另一強大的功能是可提供關鍵設備設計參數（OptiEpi Plus），如噴灑頭幾何形狀設計，以獲得更高的產量，或指引下一代新設備的開發，以增強製程能力。

作者:賴識翔、董福慶、林義鈞、鄭皓蓬多模式薄膜沉積製程設備模組技術於OLED照明之應用

可撓性OLED元件最關鍵的製程技術在於具低水氣穿透率(WVTR)之封裝薄膜，工研院機械所已獲得「多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法」之專利，在單一腔體內以原子層沉積技術與電漿輔助化學沉積技術製作高阻水氣薄膜，其薄膜特性達到OLED封裝高阻水氣之嚴苛要求( WVTR 小於 5 x 10-6 g/m2 /day)，此專利技術可應用在現今先進之OLED顯示與照明產業的薄膜封裝，大幅降低封裝成本與提高元件壽命及品質。

作者:賴識翔、董福慶、林義鈞、鄭皓蓬應用於OLED照明之薄膜沉積設備模組技術

OLED照明是一種平面的光源，亮度與色溫具可調且具高演色性，但OLED元件仍有許多需改進的地方，成本過高便是其中之一，因此OLED關鍵製程設備之開發是刻不容緩的。工研院機械所提出創新概念之面型蒸鍍源技術，成功地開發出面型蒸鍍驗證平台設備。以此新穎面型蒸鍍源設備技術成功驗證膜厚不均勻度＜± 5 %、材料利用率可達70 %及製作出高演色指數＞ 80之OLED元件等。此外，工研院機械所亦提出創新的薄膜封裝製程設備概念，以原子層沉積技術製作高阻水氣之奈米級薄膜，其製程溫度小於100℃，且薄膜厚度小於100 nm，其水氣穿透率小於5×10-6 g/m2/day，並已成功應用於OLED元件上。

作者:黃智勇、林義鈞、陳冠州、張森嘉、陳德銘、張語軒MOCVD磊晶製程參數系統優化技術

工研院研發的可視化磊晶製程參數優化系統（CyberEpi）是屬原創性極高之製造數位化技術，不同於傳統人為設定操作參數的決策。CyberEpi軟體套件包括五個主要模組：SimEpi，FlowEpi，OptiEpi，LibEpi和OptiEpi Plus等，使用者可快速驗證磊晶的流場與化學反應（SimEpi）耦合模擬結果，透過創新的流場可視化平台（FlowEpi）和製程參數最佳化（OptiEpi）之精確模型校準。為了突破多重物理耦合模型的分析模擬極限，以提昇本系統的準確度，乃進一步導入AI品質手法「AI-enhanced Simulator」，以應用於MOCVD薄膜製程之特性研究。

作者:林義鈞、陳冠州、王慶鈞Micro LED高溫磊晶加熱模組技術

因為磊晶設備加熱器（鎢絲或錸片）皆會有發熱體轉折處間隙過大，造成溫度不均勻現象，或是發熱體壽命較短等問題，微間距加熱模組是採用陶瓷材料當作發熱體，具備高耐蝕性、熱傳導係數大及熱膨脹係數小等特性，高溫下沒有outgassing問題，線圈間距尺寸最小約1.5 mm而達到幾乎整面發熱的效果，大幅提升溫度均勻性。本所完成設計開發Micro LED使用的微間距加熱模組，已安裝上MOCVD機台，後續將實際上機驗證其加熱功能與磊晶製程。