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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:董福慶、吳慶輝、羅展興太陽光電產業中的電漿輔助化學氣相沉積技術應用

作者:吳佩珊、董福慶大面積電漿源鍍膜技術介紹

作者:董福慶、吳慶輝、羅展興太陽光電產業與電漿輔助化學氣相沉積實驗平台簡介

作者:董福慶、吳佩珊、陳家銘、林重勳、魏大欽、趙修武、吳慶輝高密度電漿源的模擬與量測分析

作者:董福慶、金崇碩、黃曼琦、張翼、黃金花、羅展興矽薄膜太陽能電池與HIT電池介紹

作者:董福慶、吳佩珊、金崇碩、張翼、黃金花超高頻PECVD成長微晶矽薄膜

本文乃就超高頻PECVD成長微晶矽薄膜量測分析撰文。微晶矽薄膜主要是用矽甲烷（SiH4）與氫氣（H2）的混合，經由超高頻40.68MHz激發電漿解離進行薄膜沉積。在產業生產需求上，降低生產成本為主要目標。太陽電池為求降低更大的成本，則較高的模組效率與鍍膜速率是必需的。本質層微晶矽薄膜的結構受到製程參數極大的影響，諸如電漿功率密度、基板溫度、氣體流量比例與沉積時的真空壓力。調整這些鍍膜沉積的參數，以研究其沉積的薄膜所對應的各種電性與微結構性質，從其中找出最佳沉積條件以應用於高效率矽薄膜太陽電池。

作者:董福慶、吳佩珊、趙修武、林重勳、魏大欽高密度電漿源氣流場模擬分析

以電漿輔助化學氣相沉積設備進行低溫微晶矽薄膜的成長，在太陽能產業中引起極大的注意，特別是在製造矽薄膜太陽電池上。藉由矽甲烷（SiH4）與氫氣（H2）混合後，經由氬電漿解離反應形成微晶矽薄膜做一模擬先導研究。建立電漿模型以模擬分析在真空腔體中的製程氣體與電漿之化學反應。從真空腔體中氣相物種的運動行為了解製程參數對各種不同物種，在反應過程中生成與消耗的影響，此模型導入17個物種，37個有關電子、離子與自由基及中性物種等化學反應式來計算。所提出的二維模型之模擬分析可獲得在基板上成膜時，靠近基板的關鍵物種之重要資訊，也同時說明控制基板上成膜的主要反應機制。

作者:董福慶白光OLED製造技術

白光OLED除了具有低耗電性、可撓性等優點外，可隨設計需求而調整的演色性與色溫、平面式面光源等等的特性，使其展現與傳統光源截然不同的特色，相信未來在照明市場上有其獨特的發展空間。OLED元件中材料佔元件成本1成，設備卻佔了4成，特將製程設備做一描述。

作者:賴識翔、董福慶、賴麗惠、陳思豪、王怡珊、吳佩珊、陳建志OLED蒸鍍設備專利發展趨勢

OLED照明是一種平面光源，亮度與色溫具可調性且具有高演色性，但OLED元件仍有許多需改進的地方，其中之一便是成本過高，光是設備與材料成本就分別占了OLED生產成本的40 %與20 %，因此高材料利用率的OLED關鍵製程設備之開發是刻不容緩的。本文針對OLED關鍵製程蒸鍍設備專利的發展作ㄧ分析，並從中觀察其重要專利之影響，希望未來台灣能建立相關自有專利優勢與擁有自主化之OLED關鍵製程設備。

作者:胡智愷、林義鈞、利定東、董福慶、陳建志、吳佩珊、王慶鈞IR加熱模組之模擬分析與設計

本文研究使用Design on Simulation (DOS)的概念，此方法可運用在眾多半導體設備的設計研發上，其中加熱器是半導體設備中的關鍵零組件，一個良好的加熱器設計，它需具備升降溫度速率快、加熱後盤面溫差小等特點。且加熱器在製程中扮演提供穩定熱源的重要角色。半導體加熱器依加熱溫度分大致可為低溫、中溫以及高溫三種加熱種類，本文研究的即是高溫IR加熱器，IR加熱器發熱體本身與待加熱載台呈現非接觸的型式。在本文中，發熱體種類為電熱管，其內部加熱管圖形陣列方式和載盤本身材料，將直接影響加熱後載盤表面的溫度分佈，文末，找出最佳化自行設計電熱管圖形，其碳化矽為最好的載盤材料。

作者:董福慶、賴識翔、王慶鈞OLED面蒸鍍驗證平台技術

目前全球照明市場產值為3兆台幣，顯示器亦有3兆台幣之多，未來兩者產業更上看4兆台幣，合計有8兆台幣之多。而OLED元件在照明上為一平面式面光源，並具有低耗電性、可撓性，且可隨設計需求而調整的演色性與色溫等特性，而其用在AMOLED顯示器上，更具有畫質優異，全彩化、廣視角、響應速度快、低耗能與輕薄等優異特性。只要未來技術成熟，元件成本降低與壽命增長，將會大幅侵入現有之顯示器與照明市場，預估可達5兆台幣之產值。

目前在OLED元件製程上，最關鍵之製程與設備技術在於有機奈米薄膜蒸鍍製程上，現今之點蒸鍍與線蒸鍍機台仍面臨材料利用率偏低與成本過高之瓶頸。工研院機械所提出創新概念之面型蒸鍍源技術，並以直接模擬蒙地卡羅法（DSMC）模擬分析設計，成功開發出面型蒸鍍驗證平台設備。以此新穎面型蒸鍍源設備技術成功驗證出，膜厚不均勻度＜± 5 %，且材料利用率可達70 %，並成功置換HTL層，製作出高演色指數＞ 80之OLED元件。

作者:賴識翔、林龔樑、林義鈞、董福慶先進OLED薄膜封裝技術

OLED照明元件為一平面式面光源，並具有低耗電性及可撓性，且可隨設計需求而調整的演色性與色溫等特性，預估2020年全球可達30億美元之產值。可撓性OLED元件最關鍵的製程技術在於具低水氣穿透率（WVTR）之封裝奈米薄膜製程，工研院機械所提出創新概念之原子層沉積技術製作高阻水氣的奈米級封裝薄膜，其製程溫度小於100℃，薄膜厚度亦小於100 nm，水氣穿透率為1.37×10-6 g/day/m2，並已成功應用於OLED元件上。