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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:陳冠州太陽能光電鍍膜設備之加熱器探討

作者:陳冠州太陽電池之PVD濺鍍製程設備

作者:陳冠州太陽電池真空鍍膜製程設備之基板傳輸移載技術

作者:陳冠州、周琨祐劃線設備機台及其太陽電池製程應用之探討

十八世紀中業英國工業革命後，人類對於石油的依賴性劇增，石化能源的短缺將是人類可視的問題！太陽位於我們所在太陽系的核心，一直以來釋放著源源不絕的光能與熱能，其能量如此潔淨、無限量、無汙染等特性，均為人類開發替代能源不可或缺的基石，取之利用亦是解決能源危機的主要方法之一。

本篇探討太陽能電池製程刻劃設備之功能及其各設計模組，介紹並說明其製程應用的場合。

作者:陳冠州、周琨祐太陽能電池製程之劃線技術

1954年美國貝爾實驗室發表第一顆矽基太陽能電池以來，人類在太陽能電池上的研究發展歷經了非晶矽半導體、多晶矽半導體、單晶矽半導體、III-V族化合物半導體、II-VI族化合物半導體直到有機半導體染敏太陽能電池等；科技業對各個電池的研發均有著墨，重點在各型太陽能電池是否具量產的可能性，研發則強調其廣泛的太陽光譜吸收特性與光電轉換效率的提升。本篇將著重於2006年以來因為純矽基材短缺而相對受到重視的CIGS（銅銦鎵硒）薄膜化合物太陽能面板之絕緣劃線製程技術的介紹，使讀者能了解相關的製程技術，並簡介薄膜太陽能電池製程設備中極重要的絕緣劃線機制。

作者:陳冠州、李昇亮LED晶片之光電特性量測設備技術

LED產業鏈之上、中、下游其晶片或晶粒的光電性質量測是很重要的一環，因為LED的發光效率一直是各家廠商競爭的指標之一，藉由光電量測設備即能掌握在生產過程中每一晶片或晶粒的特性而製作出高品質的產品。本文探討LED晶片之光電特性量測設備技術，藉由電致發光量測所需之基本光電特性介紹及量測設備機台功能、架構及量測與電控系統的說明，讓國內更多點測使用廠商了解其機台特性，並希望國內的點測機台設備廠商能不斷的技術精進及性能提昇以協助LED產業的蓬勃發展。

作者:陳冠州、吳佩珊、李志中、林灣松、陳冠翰LED晶圓取放之模擬與應力分析技術

現今將LED晶圓取放於製程用晶圓盤的動作均是以人工方式進行，操作過程中容易因為人員的取放疏失而導致晶圓破片，並且耗時耗工。隨著製程技術的進步，且因應晶圓朝向大尺寸及薄化的需求，自動化LED晶圓上下料取放傳輸技術為必然之趨勢，可用來降低以人工方式取放晶圓發生破片的風險，並減少人工成本及提高產能等益處。本文針對取放傳輸系統中夾爪夾持晶圓時的應力進行模擬，分析夾爪機構中撓性元件的彈簧係數k值對應力的影響，對於夾持裝置的設計，提供更有效的設計依據。

作者:賴冠甫、閻其偉、劉耀先、黃智勇、陳冠州、梁金興、王慶鈞多孔式噴灑頭對於CVD反應室內之流場影響研究

化學氣相沉積法（Chemical Vapor Deposition, CVD）是在晶圓上沉積半導體薄膜的一種方法。化學沉積的過程決定產物的品質，其主要影響的因素有、反應室幾何形狀、反應壓力、進氣構造、基板溫度、基板旋轉以及反應氣體流量，這些參數將決定晶圓品質與良率。本文是以粒子影像測速儀，對於化學氣相沉積反應室內流場情形進行可視化分析。實驗中利用多孔式噴灑頭來達到均勻進氣的效果，另外將改變不同的進氣流量以及基板旋轉來觀察反應腔內之流場變化。

作者:陳冠州、梁金興、王政元LED光電製程設備之自動取放技術

LED光電製程設備之自動化導入，其中晶圓基板之取放為最基本且重要的關鍵技術。目前台灣的固態照明光電產業上、中、下游製程設備均具備單機化的自動機台，唯獨進出料之取放片還需仰賴人工，不僅耗時且破片風險高，未來隨之LED晶圓尺寸變大及薄化的趨勢，自動化取放與傳輸為必然需求。本文探討介紹光電製程設備中常用的取放機構之夾爪類型，另也針對大尺寸之4吋LED藍寶石晶圓進行夾持取放機構設計與電腦模擬分析，以提昇晶圓取放穩定度及控制取放品質。最後說明國內目前固態照明光電產業之製程設備自動化關鍵技術與其發展現況。

作者:林義鈞、黃智勇、陳冠州、王慶鈞磊晶製程參數優化系統技術

工研院研發的磊晶製程參數優化系統（epitaxy optimum coupling system, EOCS）是屬原創性極高之製造數位化技術，不同於傳統人為操作參數的決策。本系統是將製程參數實驗資料及模擬分析之優化結果導入巨量資料庫，可以快速（2小時）找出最佳化的參數，比以往需1週調控的時間大幅縮減，相較其他的競爭者，使用磊晶製程參數優化系統預期可增加產能，而且能獲得準確度92%以上的鍍膜速率與均勻性預測。且具有新產品快速彈性研發優勢，主要是可縮短了產品上市時間（time to market），並減少研發成本，更有利於開發下世代大尺寸GaN/Si光電和深紫外光LED新元件，同時可望填補全球LED前段磊晶設備產業關鍵模組的供應鏈缺口。

作者:陳冠州、黃智勇氣體噴灑模組於光電鍍膜設備之應用

國內光電及半導體產業發展已累積有40 年的歷史，其上、中、下游產業結構已相當完整，是我國持續發展推動的重點產業，亦是全球創新研發的新契機所在。光電半導體之真空CVD鍍膜為其重要的關鍵製程，其設備中使用之氣體噴灑模組更是為其關鍵零組件，攸關腔體內製程氣體之層流均佈而使薄膜能均勻沉積，並掌握鍍膜的品質與良率。本文針對各種氣體噴灑模組應用於CVD鍍膜設備之型式及設計加以探討，並介紹工研院機械所開發之氣體噴灑模組研發技術現況，以期協助國內建立光電半導體鍍膜設備產業與其關鍵零組件之發展，奠定「技術產品國產化、產業價值高值化」的發展目標。

作者:林義鈞、黃智勇、陳冠州、李昌駿、劉彥禹、張哲培濺鍍設備之薄膜應力模擬分析技術

隨著半導體先進製程的開發，硬質光罩的好壞也是非常重要，由於氮化鈦具備高密度、低應力且硬度高的特性，目前半導體大廠都選用氮化鈦當作硬質光罩的材料，所以氮化鈦在半導體製程上的需求大幅增加；其中，濺鍍機台是主要用來製作氮化鈦薄膜。然而，氮化鈦鍍製受到腔體內製程溫度、壓力、流量等參數的影響，導致硬質光罩薄膜中會有殘留應力，易在蝕刻製程後變形，造成線路彎曲或圖案坍塌，因此殘留應力和翹曲量是值得深入探討。本文提出了一種製程導向模擬方法，用以估算最終的薄膜應力和翹曲量，透過模擬分析結果和實驗數據的殘留應力進行比較，模擬誤差率僅為2.75 %，之後利用薄膜應力數值，即可分析產生翹曲量。