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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:季宇文、胡恩蘭、黃昆平大面積石墨烯電極成長技術

作者:黃昆平、吳采亮、黃冠中半導體多片晶圓微波退火技術開發

作者:胡恩蘭、黃昆平、蔡禎輝、陽毅平工基專欄 | 石墨烯材料在車用動力系統之應用（二）

作者:黃昆平、季耀仁電漿摻雜活化之微波退火技術

隨著半導體技術演進，對鰭式電晶體淺接面摻雜及活化困難到越來越高。鰭式電晶體的鰭越做越高，且間距越做越小，傳統離子佈植及雷射活化已無法滿足需求。為避免離子佈植破壞矽晶格或因寬深比（aspect ratio）的因素造成摻雜不完全之缺點，利用化學沉積法之電漿摻雜，可彌補離子佈植之缺點；另外，寬深比大之鰭式電晶體之鰭片底部的摻雜活化，由於傳統光學加熱如快速升溫退火（rapid thermal annealing, RTA）或雷射（Laser）之高溫退火，一則容易造成淺接面的摻雜擴散，二則由於光學穿透不佳，無法對鰭片底部摻雜之活化。此外，本文亦將首次介紹多片晶圓微波退火的優異成果。

作者:黃昆平、胡恩蘭、林立松、徐銘懋、蔡禎輝、陽毅平石墨烯材料在車用動力系統之應用（一）

作者:黃昆平、張志振、胡竹生、趙天生、李耀仁半導體微波退火設備開發

若對材料施以正確的電磁波頻率，可對材料於較低溫度完成退火，達到節能減碳的目的。在工業上對微波頻段的電磁波吸收良好材料，若對工件施以微波加熱或退火，可於較低溫及較短時間就達到加熱或退火目的，同時達到節能及省時的功效。本文將介紹低頻微波（2.45 GHz）加熱技術於半導體摻質活化之應用，以低溫微波退火避免摻雜質擴散，以符合未來半導體5 nm以下之前段製程需求。

作者:黃昆平單接面薄膜太陽電池轉換效率之提升

作者:黃昆平、李佳勳、林鵬量子點硒化銅鎵(QD-CGS)薄膜研究

作者:呂俊頡、邱博文、黃昆平、張志振以化學氣相沈積法製備大面積單層石墨烯

作者:葉禮閣、林晉安、黃昆平、何志浩簡介染料敏化太陽電池的研究

本文介紹了染料敏化太陽電池（DSSC）的發展歷史及工作原理，藉由配合學理與實驗的映證來闡述關鍵技術與研究進展。文中對如何提升DSSC光電轉換效率中的幾個重要部分：如奈米化高表面積電極，太陽能電池的電性量測參數（諸如填充因子、開路電壓、短路電流等），電極對光催化能力等做說明與舉例。並針對目前DSSC的研究主流，液體電解質改良與奈米量子點的應用，做詳細的論述。回顧了DSSC從實驗室研究到工業產業化技術的進展，所面對的挑戰並提出未來DSSC研究上的可能走向。

作者:黃昆平、賴致瑋、張志振、邱博文電子迴旋共振化學氣相沈積法成長石墨烯及其後處理

石墨烯（Graphene）在低溫實驗中，載子遷移率可達到200000 cm2/V‧s，是現今矽材料的千倍以上，具穩定的化性、機械強度、低電阻等特色，不管用在內部連接（interconnect）、電晶體（transistor）、液晶顯示器透明電極等，非常適合半導體技術及應用。目前以真空方式ECR CVD成長出來的石墨烯是屬於損傷石墨烯（damaged graphene），缺陷甚多必須佐以表面熱處理來改善品質。目前有測試高溫退火、氬離子電漿及微波退火方式進行石墨烯之改質。其中以（a）微波退火以及（b）氬離子電漿加退火可明顯地降低石墨烯的片電阻值。

作者:曾文彥、蘇志祥、羅志偉、黃昆平、張志振免焊料及助熔劑之高溫超導薄膜接合技術