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作者:李昇亮電漿輔助原子層鍍膜設備電控系統介紹

本文以本所研發PEALD設備之電控系統當範例作說明，內容包含有周邊元件選用、電控系統軟體及硬體規劃等，最後將會介紹本系統所規劃之人機介面及操作方法。

作者:張志宇、王慶鈞、蔡豐羽原子層沈積技術於有機太陽能電池薄膜封裝之應用

有機太陽電池因其潛在優點如成本低廉、製程簡便、易於大面積化、具撓曲性等，被視為是未來太陽能技術發展之趨勢。欲成為實用的替代能源，有機太陽電池除了必須具備足夠的光電轉化效率外，還必須具備高度的穩定性。其中光轉化效率已是廣泛研究的主題，但元件穩定性之解決方法仍有待開發。由於機太陽電池元件的材料極易受環境（以水氣與氧氣為主）影響而產生急速劣化，必須以隔絕性極佳之封裝方法加以保護，其封裝的效果必須遠高於一般微電子產品的封裝方式，因此封裝技術將直接影響產品的成敗。本文將針對有機太陽電池的封裝技術發展及其趨勢做深入淺出的介紹。

作者:曾銘宏、王慶鈞、蔡豐羽有機光電元件封裝之原子層沉積製程與設備技術

有機光電元件（如OLED與有機太陽能電池等）必須採用可有效阻隔水氧的封裝技術，始能達到具實用價值之使用壽命。原子層沉積技術（atomic layer deposition，簡稱ALD）具有高表面覆蓋性、低溫製程、低薄膜缺陷密度、單層即有低水氧穿透率等優點，乃為最能有效封裝有機光電元件的薄膜製程技術，但ALD之低成膜速率一直為其實際量產應用之潛在障礙。針對此問題，相關廠商已相繼投入量產化ALD設備的開發，除大幅提升ALD沉積速度外，更已成功驗證了可大面積鍍膜、非真空製程、與快速roll-to-roll製程的設備，使ALD可望成為有機光電元件之薄膜封裝量產製程。

作者:嚴國藝、邱建華、李俊緯、林沛鋅、王慶鈞、黃振榮、梁沐旺、吳慶輝、羅展興、龔志榮氧化鋅透明導電膜之原子層沉積製程與設備技術

本論文探討原子層沉積法製備銦、鎵摻雜之氧化鋅薄應用在氮化銦鎵發光二極體透明導電層對元件特性之影響。退火後之摻雜鎵之氧化鋅薄膜在發光波段450奈米之穿透率約為95.8 %，其電阻率約為4.6×10-4 Ω-cm。而覆蓋退火後之鎵摻雜氧化鋅薄膜之氮化銦鎵發光二極體，在順向電流20 mA下，其導通電壓約為3.5 V，而發光效率增加27.5 %。退火後之銦摻雜氧化鋅薄膜電阻率約為6×10-4 Ω-cm。而以銦摻雜氧化鋅薄膜為透明導電層之發光二極體元件，退火後，在順向電流20 mA下測量其電壓為3.26 V，發光效率增加12.5%。

作者:陳邦旭、王慶鈞原子層沉積技術於電阻式記憶體元件之應用

近年來，在新型非揮發性記憶體的研究中，電阻式記憶體被視為極具潛力的候選元件。電阻式記憶體的架構為ㄧ電極/絕緣層/電極所組成。電極與絕緣層材料之選用與製備方式為此ㄧ記憶體成功的關鍵。其中，適當材料性質的絕緣層提供ㄧ個良好的電阻變換的區域。而原子層沉積技術，為製作奈米薄膜重要技術之ㄧ，因此也廣泛的應用在製作電阻式記憶體的製程中。在本文中，將介紹目前電阻式記憶體的發展，其電阻式記憶體操作模式與機制，目前使用原子層沉積法來製備適合絕緣薄膜的材料系統，以原子層沉積技術應用於三維電阻式記憶體絕緣層，與未來應用原子層沉積技術製作電阻式記憶體元件的展望，做深入的介紹。

作者:許哲誠、林龔樑、蔡豐羽原子層沉積鍍膜應用技術

透明導電薄膜（Transparent Conductive Film, TCF）為太陽能電池等光電元件不可或缺的一部分。目前元件的發展已逐步由平面結構邁向具備高深寬比與高表面積的奈米結構，但傳統的透明導電薄膜製程技術並無法於3D的結構上均勻鍍膜。原子層沉積技術（atomic layer deposition, ALD）具有高表面覆蓋性，可於奈米結構上均勻鍍膜，並可精準地控制膜厚及薄膜組成。此外，其低溫製程、低薄膜缺陷密度等優點，使其於可撓式光電元件的開發上極具發展潛力。

作者:曾銘宏、陳冠綸、林龔樑、王慶鈞、蔡豐羽ALD有機薄膜沉積技術

原子層沉積技術（atomic layer deposition，簡稱ALD）不但具有高表面覆蓋性、低溫製程、低薄膜缺陷密度、可大面積與大量生產等優點，且可沈積的材料相當多元。過去的ALD研究所製備的材料以無機物為主，近幾年，開始有研究使用ALD技術製備有機物薄膜，並已有相當多元且傑出的成果與應用，包括使用ALD製備光阻薄膜、透明導電膜、OLED之發光層、應力緩衝層、阻氣薄膜、絕熱薄膜、氣體選擇膜、與高強度高分子等，有相當優異之成果。有鑑於ALD製備有機膜不但具有新穎性，且在各領域皆有高度應用潛力，本文將針對ALD有機膜目前現有的研究與應用進行簡介，以期能讓大家對此技術能有進一步的認識與了解。

作者:賴識翔、王慶鈞、莊賦祥撓性OLED製作技術

耗電性、可撓性，且可隨設計需求而調整的演色性與色溫等特性，預估2020年可達30億美元之產值。目前在撓性OLED元件製程上，最關鍵之製程技術在於具低水氣穿透率（WVTR）之封裝奈米薄膜製程上，工研院機械所提出創新概念之原子層沉積技術可應用於高阻水氣之奈米級封裝薄膜，其水氣穿透率為1.37×10-6 g/ m2day。可撓性OLED照明元件之功率效率達32 lm/W，基板撓曲曲率半徑可達2 cm，撓曲次數可達1000次以上。

作者:賴識翔、林龔樑、林義鈞、董福慶先進OLED薄膜封裝技術

OLED照明元件為一平面式面光源，並具有低耗電性及可撓性，且可隨設計需求而調整的演色性與色溫等特性，預估2020年全球可達30億美元之產值。可撓性OLED元件最關鍵的製程技術在於具低水氣穿透率（WVTR）之封裝奈米薄膜製程，工研院機械所提出創新概念之原子層沉積技術製作高阻水氣的奈米級封裝薄膜，其製程溫度小於100℃，薄膜厚度亦小於100 nm，水氣穿透率為1.37×10-6 g/day/m2，並已成功應用於OLED元件上。

作者:黃智勇、林義鈞、田春林、洪銘聰蒸鍍原子層薄膜技術

本研究探討蒸鍍原子層薄膜技術，在蒸鍍場中模擬分析氟化鎂（MgF2）薄膜膜厚分佈及鍍率狀況，接著以不同的製程參數製作非晶氧化銦鎵鋅（IGZO）及氟化鎂薄膜，沉積薄膜厚度介於1~55 nm之間，研究薄膜在光學與機械性質之間的關係，並進行各項特性實際的量測分析，以探討原子層鍍膜的功能特性，包括殘留應力、電性、粗糙度、折射率及薄膜熱退火等。當單層光學薄膜要求小於10 nm時需達成100%的表面覆蓋率，以避免缺陷影響到光學性質。

作者:賴識翔、林義鈞高阻水氣薄膜封裝技術於OLED照明之應用

預估撓性OLED市場規模到2020年可達176億美元，針對可撓性有機發光二極體（organic light-emitting diode,OLED）元件最關鍵之技術在於低水氣穿透率（water vapor transmission rate, WVTR）的封裝奈米薄膜製程上。工研院機械所提出創新的薄膜封裝製程設備概念，以原子層沉積技術製作高阻水氣之奈米級薄膜，其製程溫度小於100C，且薄膜厚度小於100 nm，其水氣穿透率小於5×10-6 g/day/m2，並已成功應用於OLED元件上。

作者:江柏風全球半導體設備產業格局：2024現況與2025趨勢

2024 年全球半導體市場規模達 6,559 億美元，年成長達 21%，主因記憶體價格回升與 AI 晶片需求強勁。設備市場的全球出貨值達 1,171 億美元，年成長為 10%，以先進製程與封裝擴產為主要驅動力。AI 與 HPC 晶片帶動 EUV、ALD、蝕刻等設備需求快速上升；先進封裝如CoWoS與 Fan-Out 則推動鍍膜、雷射加工與量測設備需求同步成長。主要設備供應商持續集中，前五大廠商市占率達 71%。展望 2025 年，預計將有 18 座晶圓廠動工，設備市場將持續聚焦於先進節點與高階製程應用，推動產業進一步升級與轉型。

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