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作者:董福慶、賴識翔、王亘黼長壽命色溫可調變OLED照明技術

OLED ( Organic Light-Emitting Diode ) 的技術發展下，色溫可調變OLED照明元件，其光色與色溫可以像太陽光一般，從黎明低色溫變化至正午豔陽的高色溫，且不同於LED以窄波段藍光為主色調發光。OLED的發光體從深紅光至深藍光，均可獨立運作；在結合高波段發光體之後，其發光光譜類似黑體輻射之連續寬廣的光譜，色域可涵蓋整個黑體的輻射發光曲線，不需像LED額外藉螢光粉來調整光色。本文就色溫對人的影響與長壽命色溫可調變OLED及薄膜封裝技術發展進行介紹。

作者:賴識翔、董福慶、林義鈞、鄭皓蓬多模式薄膜沉積製程設備模組技術於OLED照明之應用

可撓性OLED元件最關鍵的製程技術在於具低水氣穿透率(WVTR)之封裝薄膜，工研院機械所已獲得「多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法」之專利，在單一腔體內以原子層沉積技術與電漿輔助化學沉積技術製作高阻水氣薄膜，其薄膜特性達到OLED封裝高阻水氣之嚴苛要求( WVTR 小於 5 x 10-6 g/m2 /day)，此專利技術可應用在現今先進之OLED顯示與照明產業的薄膜封裝，大幅降低封裝成本與提高元件壽命及品質。

作者:曾銘宏、王慶鈞、蔡豐羽有機光電元件封裝之原子層沉積製程與設備技術

有機光電元件（如OLED與有機太陽能電池等）必須採用可有效阻隔水氧的封裝技術，始能達到具實用價值之使用壽命。原子層沉積技術（atomic layer deposition，簡稱ALD）具有高表面覆蓋性、低溫製程、低薄膜缺陷密度、單層即有低水氧穿透率等優點，乃為最能有效封裝有機光電元件的薄膜製程技術，但ALD之低成膜速率一直為其實際量產應用之潛在障礙。針對此問題，相關廠商已相繼投入量產化ALD設備的開發，除大幅提升ALD沉積速度外，更已成功驗證了可大面積鍍膜、非真空製程、與快速roll-to-roll製程的設備，使ALD可望成為有機光電元件之薄膜封裝量產製程。

作者:嚴國藝、邱建華、李俊緯、林沛鋅、王慶鈞、黃振榮、梁沐旺、吳慶輝、羅展興、龔志榮氧化鋅透明導電膜之原子層沉積製程與設備技術

本論文探討原子層沉積法製備銦、鎵摻雜之氧化鋅薄應用在氮化銦鎵發光二極體透明導電層對元件特性之影響。退火後之摻雜鎵之氧化鋅薄膜在發光波段450奈米之穿透率約為95.8 %，其電阻率約為4.6×10-4 Ω-cm。而覆蓋退火後之鎵摻雜氧化鋅薄膜之氮化銦鎵發光二極體，在順向電流20 mA下，其導通電壓約為3.5 V，而發光效率增加27.5 %。退火後之銦摻雜氧化鋅薄膜電阻率約為6×10-4 Ω-cm。而以銦摻雜氧化鋅薄膜為透明導電層之發光二極體元件，退火後，在順向電流20 mA下測量其電壓為3.26 V，發光效率增加12.5%。

作者:陳邦旭、王慶鈞原子層沉積技術於電阻式記憶體元件之應用

近年來，在新型非揮發性記憶體的研究中，電阻式記憶體被視為極具潛力的候選元件。電阻式記憶體的架構為ㄧ電極/絕緣層/電極所組成。電極與絕緣層材料之選用與製備方式為此ㄧ記憶體成功的關鍵。其中，適當材料性質的絕緣層提供ㄧ個良好的電阻變換的區域。而原子層沉積技術，為製作奈米薄膜重要技術之ㄧ，因此也廣泛的應用在製作電阻式記憶體的製程中。在本文中，將介紹目前電阻式記憶體的發展，其電阻式記憶體操作模式與機制，目前使用原子層沉積法來製備適合絕緣薄膜的材料系統，以原子層沉積技術應用於三維電阻式記憶體絕緣層，與未來應用原子層沉積技術製作電阻式記憶體元件的展望，做深入的介紹。

作者:許哲誠、林龔樑、蔡豐羽原子層沉積鍍膜應用技術

透明導電薄膜（Transparent Conductive Film, TCF）為太陽能電池等光電元件不可或缺的一部分。目前元件的發展已逐步由平面結構邁向具備高深寬比與高表面積的奈米結構，但傳統的透明導電薄膜製程技術並無法於3D的結構上均勻鍍膜。原子層沉積技術（atomic layer deposition, ALD）具有高表面覆蓋性，可於奈米結構上均勻鍍膜，並可精準地控制膜厚及薄膜組成。此外，其低溫製程、低薄膜缺陷密度等優點，使其於可撓式光電元件的開發上極具發展潛力。

作者:賴識翔、王慶鈞、莊賦祥撓性OLED製作技術

耗電性、可撓性，且可隨設計需求而調整的演色性與色溫等特性，預估2020年可達30億美元之產值。目前在撓性OLED元件製程上，最關鍵之製程技術在於具低水氣穿透率（WVTR）之封裝奈米薄膜製程上，工研院機械所提出創新概念之原子層沉積技術可應用於高阻水氣之奈米級封裝薄膜，其水氣穿透率為1.37×10-6 g/ m2day。可撓性OLED照明元件之功率效率達32 lm/W，基板撓曲曲率半徑可達2 cm，撓曲次數可達1000次以上。

作者:賴識翔、林龔樑、林義鈞、董福慶先進OLED薄膜封裝技術

OLED照明元件為一平面式面光源，並具有低耗電性及可撓性，且可隨設計需求而調整的演色性與色溫等特性，預估2020年全球可達30億美元之產值。可撓性OLED元件最關鍵的製程技術在於具低水氣穿透率（WVTR）之封裝奈米薄膜製程，工研院機械所提出創新概念之原子層沉積技術製作高阻水氣的奈米級封裝薄膜，其製程溫度小於100℃，薄膜厚度亦小於100 nm，水氣穿透率為1.37×10-6 g/day/m2，並已成功應用於OLED元件上。

作者:賴識翔、林義鈞高阻水氣薄膜封裝技術於OLED照明之應用

預估撓性OLED市場規模到2020年可達176億美元，針對可撓性有機發光二極體（organic light-emitting diode,OLED）元件最關鍵之技術在於低水氣穿透率（water vapor transmission rate, WVTR）的封裝奈米薄膜製程上。工研院機械所提出創新的薄膜封裝製程設備概念，以原子層沉積技術製作高阻水氣之奈米級薄膜，其製程溫度小於100C，且薄膜厚度小於100 nm，其水氣穿透率小於5×10-6 g/day/m2，並已成功應用於OLED元件上。

作者:王亘黼、董福慶、林士欽、田春林脈衝離散注入法及原子層沉積技術之半導體薄膜製程應用

半導體製程朝向微小線寬發展，使薄膜沉積技術亦往原子等級奈米堆疊邁進，並需達到高保形性、優良均勻度、以及深入孔隙結構等特質，成為薄膜披覆重要的製程能力。本文將介紹工研院機械所開發之鍍膜設備，以沉積原子層薄膜技術，搭配脈衝離散注入方法改善膜層披覆品質；在氧化鋁(Al2O3)鍍膜條件，於每循環沉積0.69 Å厚度之速率下達到不均勻度±2.3 %良好鍍膜效果，同時透過結構應力分析驗證薄膜特性適合應用在製程中，滿足先進半導體薄膜製造之產業應用規格。

作者:王亘黼、董福慶、賴識翔原子層沉積多成分薄膜填孔與封裝應用

新興相變化記憶體製程朝向多成分薄膜以及縱深填孔技術發展，亟需高深寬比多層數之保形披覆先進奈米薄膜，以因應高容量、高密度電子元件之需求。現有之高速高容量晶片使用物理氣相沉積法沉積薄膜，遭遇高深寬比(10:1)、多成分精準度及鍍膜均勻性困難。然而，綜觀薄膜沉積技術，唯有原子層沉積可生產高度保形膜層。本文將介紹工研院機械所專利之低溫(< 100°C)原子層鍍膜設備，同時導入多模態離散注入前驅物質技術，提升鍍率以及孔隙深入能力，有效達到多成分薄膜填孔均勻性之產業應用規格。

作者:陳邦旭原子層沉積法與原子層蝕刻法在光電半導體之應用

在先進半導體元件、高速運算與通訊、元宇宙、電動車與綠色能源儲能產能各個面向殷切需求下，新的技術，新的製程提供新的材料與架構，其中具有原子單層與區域控制能力的原子層沉積法與原子層蝕刻法受到廣泛的注意。本文將介紹原子層沉積法與原子層蝕刻法機制，並介紹目前主要原子層沉積法與原子層蝕刻法的相關製程設備，另概述原子層沉積法在光電半導體中之應用，以及原子層蝕刻法在不同基板應用，最後討論有關於此兩項技術的未來發展與挑戰。

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