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依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:張佑祥、梁烝輔、王偉彥、陳玠錡、黃萌祺高深寬比玻璃通孔金屬化與填孔電鍍技術

近年來，三維電子封裝與異質整合技術已經被廣泛的討論與發展。高深寬比玻璃通孔（TGV）的基板是作為中介層的選項之一。因為玻璃基板具有以下優點：低介電係數、超高電阻率、高尺寸安定性、與銅的熱膨脹差異小以及良好的機械性質。然而，透過全濕式製程來完成玻璃金屬化與無缺陷高深寬比TGV填孔技術是難以實現的。本研究，利用簡單的全濕式製程技術，開發出玻璃金屬化技術和無缺陷高深寬比TGV填孔技術。此外，此TGV填孔技術是在直流電（DC）的模式下，通過使用單一添加劑電鍍配方系統在電鍍液完全靜止（無流場）的狀態下完成的全新填孔電鍍製程。

作者:呂曼寧、高端環、凡恩森、陳玠錡、廖翌安、林敬捷、黃萌祺解鎖TGV 銅填孔技術中通孔間距扮演的關鍵角色

玻璃通孔（Through-Glass Via, TGV）技術為次世代先進封裝與面板級異質整合的重要關鍵。然而，高深寬比TGV 銅填孔製程容易受到添加劑交互作用、電流分布及通孔間距（pitch）差異影響，導致孔洞、填孔不均勻等缺陷。本研究提出結合階梯式脈衝電鍍與單一添加劑系統創新銅填孔技術，透過脈衝電流調控與沉積行為最佳化，有效平衡不同pitch結構中的銅成長速率，實現均勻且無缺陷的由下而上填孔，同時，導入應力緩衝層設計，降低研磨製程中殘留應力及玻璃破裂風險。本技術可於不同pitch條件下達成高品質、低面銅且無缺陷之TGV銅填孔，具備大面積面板製程與量產應用潛力。