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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:楊閔傑、周力行、陳俊彥、佐藤俊一、中村貴宏飛秒脈衝雷射濺鍍技術與應用

雷射脈衝濺鍍（Pulsed Laser Deposition：PLD）技術可以在低溫下沉積各種薄膜包括成分複雜的多元化合物例如超導材料（YBaCuO）或耐磨的類鑽石膜（diamond-like carbon：DLC）...等等，而且沉積膜與靶材的化學劑量比（stoichiometry）幾乎可達一致而備受矚目。但是傳統使用Excimer或Nd:YAG雷射鍍膜時會因雷射脈衝太長，靶材受熱過久而產生微米級的噴濺物（particulate）沉積於薄膜上，影響薄膜品質。許多避免微米級顆粒產生以改善膜的品質的方式被提出，而超短脈衝雷射則被認為是可以大幅解決此項問題。本文將介紹飛秒雷射PLD與奈秒雷射PLD的差異，並對工研院南分院雷射應用科技中心與日本東北大學共同合作的飛秒脈衝雷射濺鍍技術應用於ZnO沉積的研究成果與以介紹。

作者:李侃峰、林冠宇、張家豪AZO薄膜濺鍍技術與應用

透明導電氧化物薄膜的電性與光學性質是顯示器元件不可缺少之應用需求，更直接影響太陽電池的發電效率。本文將介紹太陽電池廣泛使用的磁控濺鍍沉積AZO薄膜技術，與近期發展的產品應用，並比較各種大面積濺鍍AZO薄膜的優缺點。

作者:嚴國藝、邱建華、李俊緯、林沛鋅、王慶鈞、黃振榮、梁沐旺、吳慶輝、羅展興、龔志榮氧化鋅透明導電膜之原子層沉積製程與設備技術

本論文探討原子層沉積法製備銦、鎵摻雜之氧化鋅薄應用在氮化銦鎵發光二極體透明導電層對元件特性之影響。退火後之摻雜鎵之氧化鋅薄膜在發光波段450奈米之穿透率約為95.8 %，其電阻率約為4.6×10-4 Ω-cm。而覆蓋退火後之鎵摻雜氧化鋅薄膜之氮化銦鎵發光二極體，在順向電流20 mA下，其導通電壓約為3.5 V，而發光效率增加27.5 %。退火後之銦摻雜氧化鋅薄膜電阻率約為6×10-4 Ω-cm。而以銦摻雜氧化鋅薄膜為透明導電層之發光二極體元件，退火後，在順向電流20 mA下測量其電壓為3.26 V，發光效率增加12.5%。